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公开(公告)号:WO2014119810A1
公开(公告)日:2014-08-07
申请号:PCT/KR2013/000832
申请日:2013-02-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B81B1/00
CPC classification number: B81C1/00595 , B81B2203/0109 , B81C2201/0109 , B81C2201/0133
Abstract: 비정질 탄소막을 희생층으로 이용한 MEMS 디바이스 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물 상에 희생층으로서 비정질 탄소막을 형성한다. 상기 비정질 탄소막 상에 센서 구조를 포함하는 상부 구조물을 형성한다. 상기 하부 구조물과 상기 상부 구조물이 서로 이격되어 배치되도록 상기 비정질 탄소막을 제거한다.
Abstract translation: 提供了使用非晶碳膜作为牺牲层的MEMS器件制造方法。 根据本发明的实施例,形成下部结构。 在下部结构上形成无定形碳膜作为牺牲层。 在非晶碳膜上形成包括传感器结构的上部结构。 去除非晶碳膜,使得下部结构和上部结构彼此间隔开。
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公开(公告)号:WO2018221753A1
公开(公告)日:2018-12-06
申请号:PCT/KR2017/005569
申请日:2017-05-29
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 비정질탄소막을 희생층으로 이용한 멤스 디바이스 및 그 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하부 구조체; 상기 하부 구조체의 상부로 이격되어 배치된 멤스 구조체; 상기 하부 구조체와 상기 멤스 구조체를 전기적으로 연결하는 전기적 연결 구조체; 및 상기 멤스 구조체의 상부로 이격되어 배치되는 플레이트부와 상기 플레이트부로부터 상기 멤스 구조체로 연장되는 비어 연결부를 구비하는 광흡수 구조체;를 포함하는, 멤스 디바이스를 제공한다.