公开(公告)号：WO2007099910A1

公开(公告)日：2007-09-07

申请号：PCT/JP2007/053528

申请日：2007-02-26

Applicant: HOYA株式会社 ,  山田 剛之 ,  三井 勝

Inventor： 山田 剛之 ,  三井 勝

IPC: G03F1/08 ,  C23C14/06 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: 　遮光膜のウェットエッチング特性を最適化させることで断面形状の良好な遮光膜のパターンを形成することができ、更に、パターンのギザが極めて小さい遮光膜のパターンを形成することができるフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供する。 　透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてウェットエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するウェットエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、クロムを含む材料からなり、かつ、X線回折によるＣｒＮ（２００）の回折ピークから算出される結晶子サイズが１０ｎｍ以下である。また、前記遮光膜をウェットエッチング処理によりパターニングして前記基板上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスクを得る。

Abstract translation: 提供一种光掩模坯料和光掩模，其可以通过优化遮光膜的湿蚀刻特性而形成具有优异截面形状的遮光膜的图案，并且可以形成具有极小锯齿状的遮光膜的图案。 提供了在透明基板上具有遮光膜的光掩模坯料用于通过形成在遮光膜上的掩模图案来例示掩模的湿蚀刻处理。 这种湿式蚀刻处理匹配用于图案化遮光膜的光掩模制造方法。 该遮光膜由含有铬的材料制成，并且由CrN（200）的衍射峰通过X射线衍射计算，其晶体尺寸为10nm以下。 通过湿式蚀刻处理对遮光膜进行图案化，以制造在基板上具有遮光膜图案的光掩模。

公开(公告)号：WO2007029826A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：PCT/JP2006/317893

申请日：2006-09-08

Applicant: HOYA株式会社 ,  山田 剛之 ,  小湊 淳志 ,  岩下 浩之 ,  橋本 雅広 ,  大久保 靖

Inventor： 山田 剛之 ,  小湊 淳志 ,  岩下 浩之 ,  橋本 雅広 ,  大久保 靖

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: 　レジストパターンを形成するための電子線描画によるチャージアップを抑制できるフォトマスクブランク、遮光膜の深さ方向でのドライエッチング速度を最適化させ良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランク、遮光膜のドライエッチング速度を高めることでドライエッチング時間が短縮できるフォトマスクブランクを提供する。 　本発明のフォトマスクブランクは、透光性基板上に主にクロムを含む材料からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、上記遮光膜は、水素を含む材料からなる。また、上記遮光膜は、透光性基板側に形成する層の成膜速度よりも遮光膜の表面側に形成する層の成膜速度を遅くして形成する。また、上記遮光膜の透光性基板側におけるドライエッチング速度を、遮光膜の表面側におけるドライエッチング速度よりも遅くさせるようにした。

Abstract translation: 一种能够通过用于形成抗蚀剂图案的电子束拉伸来限制充电的光掩模坯料，用于优化屏蔽膜深度方向的干蚀刻速度的令人满意的光掩模坯料，能够缩短干蚀刻时间的光掩模坯料 提高屏蔽膜的干蚀刻速度。 所述光掩模坯料在半透明基板上具有由主要含铬的材料构成的屏蔽膜，其中所述屏蔽膜由含氢的材料构成。 形成屏蔽膜，使得形成在透光性基板侧的层的成膜速度高于形成在屏蔽膜的表面侧的层的成膜速度。 屏蔽膜的透光性基板侧的干蚀刻速度被设定为低于屏蔽膜的表面侧的蚀刻速度。

公开(公告)号：WO2007074806A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：PCT/JP2006/325863

申请日：2006-12-26

Applicant: HOYA株式会社 ,  山田 剛之 ,  岩下 浩之 ,  牛田 正男

Inventor： 山田 剛之 ,  岩下 浩之 ,  牛田 正男

IPC: G03F1/08

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: 　遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減することができ、レジスト膜を薄膜化して解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上でき、ドライエッチング時間の短縮化による断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランクを提供する。 　本発明は、透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、該フォトマスクブランクは、遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、主にクロム（Ｃｒ）と窒素（Ｎ）とを含む材料からなり、かつ、Ｘ線回折による回折ピークが実質的にＣｒＮ（２００）である。また、前記遮光膜は、クロム（Ｃｒ）を基準としたときに窒素（Ｎ）が深さ方向に略均一に含まれている。

Abstract translation: 提供一种光掩模坯料，通过增加遮光膜的干蚀刻速度来缩短干蚀刻时间，通过使抗蚀剂膜变薄来提高抗蚀剂膜的还原性，分辨率和图案精度（CD精度）得到改善 通过缩短的干蚀刻时间形成具有优异横截面形状的屏蔽膜图案。 光掩模坯料在透光基板上具有遮光膜。 提供了用于干蚀刻的光掩模坯料，其适用于通过使用形成在遮光膜上的掩模图案作为掩模通过干法蚀刻来对遮光膜进行图案化的光掩模制造方法。 遮光膜由主要包含铬（Cr）和氮（N）的材料构成，并且在X射线衍射中基本上具有CrN（200）的衍射峰。 此外，通过使铬（Cr）作为基准，遮光膜包括在深度方向上基本均匀的氮（N）。

公开(公告)号：WO2007037383A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：PCT/JP2006/319491

申请日：2006-09-29

Applicant: HOYA株式会社 ,  山田 剛之 ,  大久保 靖 ,  牛田 正男 ,  岩下 浩之

Inventor： 山田 剛之 ,  大久保 靖 ,  牛田 正男 ,  岩下 浩之

IPC: G03F1/08

CPC classification number: G03F1/54 ,  G03F1/32

Abstract: 　遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。 　本発明では、透光性基板上に少なくともクロムを含む遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜上に形成されるレジスト膜に応じた加熱処理による遮光膜の膜応力変化を見込んで、この膜応力変化とは反対方向の所望の膜応力を生じる遮光膜を形成する。このフォトマスクブランクにおける上記遮光膜をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。  

Abstract translation: 本发明提供一种光掩模坯料，其在遮光膜的图案化中具有良好的平坦度，因此可以提供良好的掩模图案精度和图案转印精度，以及制造光掩模的工艺。 在包含在透光性基板上至少含有铬的遮光膜的光掩模坯料中，通过根据形成在遮光膜上的抗蚀剂膜进行热处理而允许遮光膜的膜应力变化， 形成与膜应力变化相反的方向产生期望的膜应力的屏蔽膜。 通过干蚀刻处理对光掩模坯料中的遮光膜进行图案化来制造光掩模。

公开(公告)号：WO2006006540A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：PCT/JP2005/012691

申请日：2005-07-08

Applicant: HOYA株式会社 ,  小湊 淳志 ,  山田 剛之 ,  坂本 稔 ,  橋本 雅広

Inventor： 小湊 淳志 ,  山田 剛之 ,  坂本 稔 ,  橋本 雅広

IPC: G03F1/08

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80

Abstract: 　遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減する。その結果、レジスト膜の薄膜化（３００ｎｍ以下）が可能となり、パターンの解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上できる。更に、ドライエッチング時間の短縮化により、断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。 　透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成した。  

Abstract translation: 通过提高遮光膜的干蚀刻速度，缩短了干蚀刻时间并降低了抗蚀剂膜的降低。 结果，可以进行抗蚀剂膜的薄化（300nm以下），并且可以提高图案分辨率和图案精度（CD精度）。 此外，可以通过缩短干蚀刻时间来形成具有优异横截面形状的遮光膜图案的光掩模坯料，并提供光掩模制造方法。 在透光板上具有遮光膜的光掩模坯料是用于干蚀刻工艺的掩模坯料，其适用于通过干蚀刻工艺对遮光膜进行图案化的光掩模制造方法，其中形成在遮光膜上的抗蚀剂图案 用作掩模。 遮光膜由在干蚀刻工艺中具有超过1的抗蚀剂选择性的材料构成。