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    RETROGRADE TRANSISTOR DOPING BY HETEROJUNCTION MATERIALS
    1.
    发明申请
    RETROGRADE TRANSISTOR DOPING BY HETEROJUNCTION MATERIALS 审中-公开
    退火晶体掺杂异质结材料

    公开(公告)号：WO2018063407A1

    公开(公告)日：2018-04-05

    申请号：PCT/US2016/055034

    申请日：2016-09-30

    申请人： INTEL CORPORATION

    发明人： KEYS, Patrick H. ,  KAM, Hei ,  MEHANDRU, Rishabh ,  BUDREVICH, Aaron A.

    IPC分类号： H01L29/167 ,  H01L29/43 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49

    CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/167 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： A transistor including a gate stack and source and drain on opposing sides of the gate stack; and a first material and a second material on the substrate, the first material disposed between the substrate and the second material and the channel of the transistor is defined in the second material between the source and drain, wherein the first material and the second material each include an implant and the implant includes a greater solubility in the first material than in the second material. A method for forming an integrated circuit structure including forming a first material on a substrate; forming a second material on the first material; introducing an implant into the second material, wherein the implant includes a greater solubility in the first material than in the second material; annealing the substrate; and forming a transistor on the substrate, the transistor including a channel including the second material.

    摘要翻译： 一种晶体管，其包括在所述栅极堆叠的相对侧上的栅极堆叠以及源极和漏极; 以及在衬底上的第一材料和第二材料，第一材料设置在衬底和第二材料之间，晶体管的沟道限定在源和漏之间的第二材料中，其中第一材料和第二材料各自 包括植入物，并且植入物在第一材料中包括比在第二材料中更大的溶解度。 一种形成集成电路结构的方法，包括：在衬底上形成第一材料; 在第一材料上形成第二材料; 将植入物引入到所述第二材料中，其中所述植入物包括在所述第一材料中比在所述第二材料中更大的溶解度; 退火衬底; 以及在衬底上形成晶体管，该晶体管包括含有第二材料的沟道。

    TECHNIQUES FOR FORMING TRANSISTORS ON THE SAME DIE WITH VARIED CHANNEL MATERIALS
    3.
    发明申请
    TECHNIQUES FOR FORMING TRANSISTORS ON THE SAME DIE WITH VARIED CHANNEL MATERIALS 审中-公开
    用相同的通道材料在相同的模具上形成晶体管的技术

    公开(公告)号：WO2016200402A1

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：PCT/US2015/035564

    申请日：2015-06-12

    申请人： INTEL CORPORATION

    发明人： GLASS, Glenn A. ,  MURTHY, Anand S. ,  KAM, Hei ,  GHANI, Tahir ,  JAMBUNATHAN, Karthik ,  MOHAPATRA, Chandra S.

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/6681 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8256 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

    摘要： Techniques are disclosed for forming transistors on the same substrate with varied channel materials. The techniques include forming a replacement material region in the substrate, such region used to form a plurality of fins therefrom, the fins used to form transistor channel regions. In an example case, the substrate may comprise Si and the replacement materials may include Ge, SiGe, and/or at least one III-V material. The replacement material regions can have a width sufficient to ensure a substantially planar interface between the replacement material and the substrate material. Therefore, the fins formed from the replacement material regions can also have a substantially planar interface between the replacement material and the substrate material. One example benefit from being able to form replacement material channel regions with such substantially planar interfaces can include at least a 30 percent improvement in current flow at a fixed voltage.

    摘要翻译： 公开了用于在具有不同通道材料的同一衬底上形成晶体管的技术。 这些技术包括在基板中形成替换材料区域，用于形成多个翅片的区域，用于形成晶体管沟道区域的翅片。 在一个示例性情况下，衬底可以包括Si，并且替换材料可以包括Ge，SiGe和/或至少一种III-V材料。 替换材料区域可以具有足以确保替换材料和衬底材料之间的基本平坦的界面的宽度。 因此，由更换材料区域形成的翅片也可以在替换材料和基底材料之间具有基本平坦的界面。 能够形成具有这种基本上平面的界面的替换材料通道区域的一个示例益处可以包括在固定电压下的电流流动的至少30％的改善。