公开(公告)号：WO2007148763A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：PCT/JP2007/062537

申请日：2007-06-21

申请人： JSR株式会社 ,  今野 洋助 ,  高橋 純一 ,  能村 仲篤 ,  豊川 郁宏

发明人： 今野 洋助 ,  高橋 純一 ,  能村 仲篤 ,  豊川 郁宏

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/094 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76808

摘要： 　アッシング及び剥離液による除去が容易であることに加え、デュアルダマシン構造の形成におけるビアへの埋め込み性等が良好であるレジスト下層膜を形成可能であって、特定の繰り返し単位（ｉ）、及び特定の繰り返し単位（ｉｉ）を含む重合体（Ａ）と、溶剤と、を含有し、前記特定の繰り返し単位（ｉｉ）が、酸解離性基を有するものである下層膜形成用組成物。

摘要翻译： 用于下层成膜的组合物，其能够形成抗蚀剂下面的膜。 该薄膜可以通过灰化或液体剥离剂容易地除去，并且组合物在例如形成双镶嵌结构时填充通孔的性能是令人满意的。 组合物包含含有特定重复单元（i）和特定重复单元（ii）的聚合物（A）和溶剂，其中特定重复单元（ii）具有酸解离基团。

公开(公告)号：WO2008038544A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：PCT/JP2007/068105

申请日：2007-09-18

申请人： JSR株式会社 ,  今野 洋助 ,  能村 仲篤 ,  豊川 郁宏 ,  杉田 光

发明人： 今野 洋助 ,  能村 仲篤 ,  豊川 郁宏 ,  杉田 光

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/168

摘要： 　本発明の目的は、反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能及びエッチング耐性に優れ、微細化したパターンの転写時においてもパターンが曲がらないレジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法を提供することである。本レジスト下層膜形成方法は、レジスト下層膜用組成物（例えば、フェノール性水酸基を有する化合物、溶剤及び促進剤を含有する組成物等）を被加工基板に塗布する塗布工程と、得られた塗膜を、酸素濃度が１容量％以上、且つ温度が３００°C以上の酸化性雰囲気下において成膜させる成膜工程と、を備えるものである。

摘要翻译： 本发明提供一种抗蚀剂下层成膜方法，其可以形成可用作抗反射膜的抗蚀剂下层膜，图案转印性能和耐蚀刻性优异，并且不会引起图案的弯曲 精细图案的转印和用于该方法的抗蚀剂下层膜的组合物和图案形成方法。 抗蚀剂下层膜形成方法包括以下步骤：在待处理的基材上涂覆抗蚀剂下层成膜用组合物（例如，含有酚羟基的化合物的组合物，溶剂和促进剂） 在氧浓度不低于1体积％，温度为300℃以上的氧化气氛下处理形成的涂膜，形成抗蚀剂下层膜。