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公开(公告)号：WO2022012859A1
公开(公告)日：2022-01-20
申请号：PCT/EP2021/066656
申请日：2021-06-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAYAYA, Emmanuel , BETTHAUSEN, Christian , BURGER, Markus , BARCHMANN, Bernd
IPC: H01L33/48 , H01L33/60 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01S5/0225 , H01S5/02375
Abstract: Es wird ein Bauelement (1) angegeben. Das Bauelement (1) umfasst einen Anschlussträger (2) mit einer Chipanschlussstelle (3), einen Reflektor rahmen (4), wobei der Reflektor rahmen (4) die Chipanschlussstelle (3) lateral umschließt, und einen Halbleiterchip (5), wobei der Halbleiterchip (5) auf zumindest einem Teil des Reflektorrahmens (4) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements (1) angegeben.
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2.发明申请
公开(公告)号：WO2018162470A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/EP2018/055459
申请日：2018-03-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BURGER, Markus , BOSS, Markus , LERMER, Matthias
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von zumindest einem optoelektronischen Bauelement (100) aufweisend die Schritte: A) Bereitstellen eines Substrats (1), das zumindest einen Durchbruch (11) aufweist, B) Aufbringen von zumindest einem Halbleiterchip (2) mit einer Hauptstrahlungsaustrittsflache (21) auf das Substrat (1), C) Anordnen von Begrenzungsstrukturen (3), wobei der Halbleiterchip (2) im Seitenquerschnitt gesehen zwischen den Begrenzungsstrukturen (3) beabstandet angeordnet ist, D) Aufbringen eines Hilfsträgers (4) zumindest auf die Hauptstrahlungsaustrittsfläche (21) und auf die Begrenzungsstrukturen (3), E) Einbringen eines Vergussmaterials (5) über den zumindest einen Durchbruch (11) des Substrats (1), so dass das Vergussmaterial (5) zumindest zwischen den Begrenzungsstrukturen (3) und dem Halbleiterchip (2) angeordnet wird, wobei die Hauptstrahlungsaustrittsfläche (21) frei von dem Vergussmaterial (5) ist, F) Aushärten des Vergussmaterials (5), und gegebenenfalls G) Entfernen des Hilfsträgers (4), so dass das Vergussmaterial (5) und die Hauptstrahlungsaustrittsfläche (21) im Seitenquerschnitt gesehen in einer Ebene angeordnet sind.
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3.发明申请
公开(公告)号：WO2014180842A1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：PCT/EP2014/059231
申请日：2014-05-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GÖÖTZ, Britta , BRANDL, Martin , BURGER, Markus , VON MALM, Norwin
CPC classification number: H01L33/505 , B29D11/0074 , B29D11/00932 , B29K2083/00 , F21V9/30 , H01L33/501 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2933/0041
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Wellenlängenkonversionselements (10) angegeben, bei dem eine Wellenlangenkonversionsschicht (100) bereitgestellt, ihre Oberfläche mit einem Plasma (50) behandelt und die Wellenlängenkonversionsschicht gestanzt wird. Weiterhin werden eine Wellenlängenkonversionsschicht und ein optoelektronische Bauelement mit einer Wellenlängenkonversionsschicht angegeben.
Abstract translation: 提供了一种方法用于制造波长转换元件（10），其中提供了一种波长转换层（100）的等离子体（50）和所述波长转换层被冲压对待表面。 此外，波长转换层和光电部件都标有波长转换层。
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公开(公告)号：WO2023281100A1
公开(公告)日：2023-01-12
申请号：PCT/EP2022/069183
申请日：2022-07-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHULZ, Roland , BURGER, Markus , LAUBSCHER, Moritz
Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (1) umfassend wenigstens eine im Betrieb der optoelektronischen Leuchtvorrichtung lichtemittierende Oberfläche (2) und eine auf der wenigstens einen lichtemittierenden Oberfläche angeordnete Konversionsschicht (3). Die Konversionsschicht (3) umfasst ein im wesentlichen transparentes Matrixmaterial (4) mit einem ersten Brechungsindex, in die eingebettet sind: eine Vielzahl von Lichtkonversionspartikeln (5) zur Konvertierung eines von der lichtemittierenden Oberfläche (2) emittierten Lichts einer ersten Wellenlänge in Licht einer zweiten Wellenlänge; und eine Vielzahl von Homogenisierungspartikeln (6) bestehend aus einem Material mit einem zweiten Brechungsindex. Der erste und der zweite Brechungsindex unterscheiden sich dabei höchstens um einen Wert von 0,1.
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公开(公告)号：WO2018114562A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：PCT/EP2017/082745
申请日：2017-12-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： QUEREN, Desiree , BURGER, Markus
IPC: H01L25/075 , H01L33/50
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Weißlichtquelle mit einer Anord- nung von Leuchtdioden. Die Leuchtdioden sind in erste Leuchtdioden und zweite Leuchtdioden unterteilt. Ferner weist die Weißlichtquelle ein Konversionselement auf, das ausgebildet ist, um von den Leuchtdioden emittiertes Licht zu absorbieren und konvertiertes Licht mit einer größeren Wellenlänge als das emittierte Licht zu erzeugen. Dieses Konversionselement weist einen ersten Konversionsleuchtstoff in einem ersten Matrixmaterial auf, wobei das erste Matrixmaterial mit dem ersten Konversionsleuchtstoff flächig in einer durchgehenden Schicht oberhalb der ersten und der zweiten Leuchtdioden angeordnet ist. Außerdem weist das Konversionselement einen zweiten Konversionsleuchtstoff in einem zweiten Matrixmaterial auf, wobei das zweite Matrixmaterial mit dem zweiten Konversionsleuchtstoff nur oberhalb der zweiten Leuchtdioden angeordnet ist.
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6.发明申请
公开(公告)号：WO2015014874A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/EP2014/066336
申请日：2014-07-30
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GEBUHR, Tobias , BURGER, Markus , STOLL, Ion
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Abdeckelements (10, 20) für ein optoelektronisches Bauelement (100, 200) umfasst Schritte zum Herstellen eines Rahmens (300) mit einer Mehrzahl von Durchbrüchen (310), zum Einbringen eines Konvertermaterials (400) in eine Mehrzahl der Durchbrüche (310) und zum Zerteilen des Rahmens (300).
Abstract translation: 一种用于光电子装置（100，200）的制造的盖部件（10，20）的方法包括制造具有用于引入转换器材料（400）成多个孔的多个孔（310）的框架（300）的步骤 （310）和用于将所述框架（300）。
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公开(公告)号：WO2018172276A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：PCT/EP2018/056871
申请日：2018-03-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GEBUHR, Tobias , BURGER, Markus , BOSS, Markus
IPC: H01L33/54 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: Das Verfahren ist zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritt: A) Bereitstellen eines Chipträgers (2) mit elektrischen Leiterstrukturen (22) an einer Trägeroberseite (20), B) Anbringen mindestens eines Halbleiterchips (3), der zur Lichterzeugung eingerichtet ist, auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22), C) Aufbringen zumindest einer Abdichtstruktur (4) auf zumindest einer der elektrischen Leiterstrukturen (22), sodass die Abdichtstruktur (4) mindestens einen Kontaktbereich (24) in Draufsicht gesehen ringsum vollständig umschließt, D) Erzeugen eines Vergusskörpers (5) direkt an dem mindestens einen Halbleiterchip (3) und direkt an der zumindest einen Abdichtstruktur (4) mittels Spritzgießen oder Spritzpressen, wobei die zumindest eine Abdichtstruktur (4) in einem Spritzwerkzeug (61, 62) den mindestens einen Kontaktbereich (24) gegenüber einem Material des Vergusskörpers (5) abdichtet, sodass der mindestens eine Kontaktbereich (24) frei von dem Vergusskörper (5) bleibt.
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8.发明申请
公开(公告)号：WO2015011124A1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/EP2014/065692
申请日：2014-07-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BURGER, Markus , BRADL, Rainer , BRANDL, Martin
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/0095 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Schichtelements für einen optoelektronischen Halbleiterchip. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Ausgangsschicht. Die Ausgangsschicht weist eine Ausnehmung auf. Das Verfahren umfasst des Weiteren ein Strukturieren der Ausgangsschicht zum Bilden des Schichtelements. Das Schichtelementweist eine Aussparung auf, welche wenigstens zum Teil aus der Ausnehmung der Ausgangsschicht gebildet ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于光电子半导体芯片制造的层状元件的方法。 该方法包括提供一个输出层。 输出层包括凹部。 该方法还包括用于形成所述层构件图案化该输出层。 片材部件具有从输出层的凹部形成的至少部分地凹部。 本发明还涉及一种用于制造光电子器件的方法。
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9.发明申请WELLENLÄNGENKONVERTIERENDES ELEMENT, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND DRUCKSCHABLONE 审中-公开波长元件，光电子器件和印刷模板
公开(公告)号：WO2014173721A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/EP2014/057543
申请日：2014-04-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BURGER, Markus , RICHTER, Markus
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/507 , B41N1/24 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/48463
Abstract: Ein wellenlängenkonvertierendes Element ist als flaches Plättchen ausgebildet, das eine Grundform mit einer Außenkontur aufweist. Das wellenlängenkonvertierende Element weist gegenüber der Grundform eine Aussparung auf, die durch eine Begrenzungskante begrenzt wird. An jedem Zusammentreffen der Begrenzungskante mit der Außenkontur ist jeweils ein Winkel von weniger als 90° eingeschlossen.
Abstract translation: 波长元件被设计为具有一个外轮廓的形状的平板。 波长转换元件具有在一凹槽，它是由一个边界边缘界定的基本形状的优点。 在具有小于90°的角度的外轮廓的限制边缘的每个会议被包围在每一种情况下。
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10.发明申请
公开(公告)号：WO2019238655A1
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：PCT/EP2019/065170
申请日：2019-06-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GÖÖTZ, Britta , BURGER, Markus , JEREBIC, Simon
IPC: H01L33/50
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) auf einem Träger (2), - Aufbringen mehrerer Einzelkonversionsschichten (4, 4`, 4``) aufeinander über eine Strahlungsaustrittsfläche (3) des Halbleiterchips (1) mittels Sprühbeschichten, wobei - die Einzelkonversionsschichten (4, 4`, 4``) ein Harz (5) mit Leuchtstoffpartikeln (6) aufweisen, - die jeweilige Einzelkonversionsschicht (4, 4`, 4``) vor dem Aufbringen der nächsten Einzelkonversionsschicht (4, 4`, 4``) nicht ausgehärtet wird. Außerdem wirdein optoelektronisches Bauelement angegeben.
