公开(公告)号：WO2014183981A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/EP2014/058609

申请日：2014-04-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM GMBH

Inventor： HORN, Markus ,  SCHWARZ, Thomas ,  BREIDENASSEL, Andreas ,  AUEN, Karsten ,  STOJETZ, Bernhard

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02208 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/405

Abstract: Ein Laserbauelement weist ein Gehäuse (400) auf, in dem ein erster Trägerblock (301) angeordnet ist. An einer Längsseite (330) des ersten Trägerblocks (301) ist ein erster Laserchip (101) mit einer Abstrahlrichtung (131) angeordnet. Der erste Laserchip ist elektrisch leitend mit einem am ersten Trägerblock angeordneten ersten Kontaktbereich (310) und einem am ersten Trägerblock (301) angeordneten zweiten Kontaktbereich (320) verbunden. Zwischen dem ersten Kontaktbereich (310) und einem ersten Kontaktstift (401) des Gehäuses (400) sowie dem zweiten Kontaktbereich (320) und einem zweiten Kontaktstift (402) des Gehäuses besteht je eine elektrisch leitende Verbindung. Eine lineare Anordnung von Laserchips (101) ist elektrisch in Reihe geschaltet auf jedem Trägerblock (301,302). Die vorgefertigten Module auf einem Trägerblock können auf ihre Funktion getestet werden bevor sie in dem Gehäuse befestigt und kontaktiert werden (358). Zwischen jedem Laserchip (101) und Trägerblock (301,302) kann sich eine keramische Wärmesenke (201,202) befinden.

Abstract translation: 一种激光装置具有壳体（400），其中，第一支撑块（301）被布置。 在第一支撑块（301）的一个纵向侧（330）是具有发射方向（131）被布置在第一激光器芯片（101）。 第一激光芯片电传导地连接到布置在所述第一接触区域（310）和设置在第一支撑块上的第一支撑块（301）第二接触部分（320）。 第一接触区域（310）和所述壳体的第一接触销（401）（400）和所述第二接触区域（320）和所述外壳的第二接触销（402）之间的是相应的导电连接。 激光芯片（101）的线性阵列被电连接在每个载波块（301,302）上串联。 一个支撑块上的预制模块可以为它的功能被测试它被安装在所述壳体和触头（358）之前。 各激光芯片（101）和支撑块（301,302）的陶瓷散热器（201,202）之间可位于其中。

公开(公告)号：WO2020094803A3

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：PCT/EP2019/080575

申请日：2019-11-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40

Abstract: Der Diodenlaser (1000) umfasst einen Laserbarren mit einem Halbleiterkörper (1) und einer aktiven Schicht (11), wobei der Laserbarren mehrere Einzelemitter (2) aufweist. Zumindest einigen Einzelemittern sind jeweils ein Abschnitt (20) des Halbleiterkörpers und ein dazu in Serie geschaltetes Stromregelelement (21) zugeordnet, so dass im bestimmungsgemäßen Betrieb der Einzelemitter jeweils ein dem Einzelemitter zugeführter elektrischer Betriebsstrom I 0 vollständig durch den zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers fließt und dabei an dem Abschnitt ein Spannungsabfall U H auftritt und zumindest ein Teil dieses Betriebsstroms l 0 durch das zugeordnete Stromregelelement fließt und dabei einen elektrischen Widerstand R S erfährt. Bei den Einzelemittern ist das jeweils zugeordnete Stromregelelement so eingerichtet, dass der Widerstand Rg bei einer Betriebstemperatur T 0 einen positiven Temperaturkoeffizienten dR S /dT| T0 aufweist. Alternativ oder zusätzlich ist der Widerstand R S größer als |ΔU H /I 0 , wobei ΔU H die Änderung des Spannungsabfalls U H am zugeordneten Abschnitt des Halbleiterkörpers bei Erhöhung der Temperatur T des Einzelemitters von einer Betriebstemperatur T 0 um 1 K ist.

公开(公告)号：WO2017178219A1

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：PCT/EP2017/057208

申请日：2017-03-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  BRÜDERL, Georg

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/323 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der kantenemittierenden Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22) zur Strahlungserzeugung. Ein elektrischer Kontaktsteg (3) befinden sich an einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2). Der Kontaktsteg (3) ist nur in einem elektrischen Kontaktbereich (30) auf der Oberseite (20) aufgebracht oder steht nur in dem Kontaktbereich (30) mit der Oberseite (20) in elektrischem Kontakt. Die aktive Zone (22) wird nur stellenweise bestromt. Der Kontaktsteg (3) umfasst mehrere Metallschichten (31-35), die übereinander gestapelt angeordnet sind. Wenigstens eine der Metallschichten (31-35) ist mit einer Strukturierung (4) versehen, so dass diese Metallschicht den Kontaktbereich (30) nur zum Teil bedeckt und mindestens eine Öffnung (41) und/oder Unterbrechung (42) aufweist. Durch die Strukturierung (4) sind Verspannungen der Halbleiterschichtenfolge (2) und/oder des Kontaktstegs (3) aufgrund unterschiedlicher Temperaturausdehnungskoeffizienten der Metallschichten (31-35) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verringert.

Abstract translation: 在一个实施例中，边发射半导体激光器（1）包括具有用于产生辐射的有源区（22）的半导体层序列（2）。 电接触网（3）位于半导体层序列（2）的上侧（20）上。 接触网（3）仅施加在上侧（20）上的电接触区域（30）中或仅在接触区域（30）中与上侧（20）电接触。 活动区域（22）仅在有些地方通电。 接触网（3）包括多个金属层（31-35），所述多个金属层（31-35）彼此叠置地布置。 至少一个金属层（31-35）设置有结构（4），使得该金属层仅部分地覆盖接触区域（30）并且具有至少一个开口（41）和/或中断（42）。 由结构（4）的减小的张力的半导体层序列中（2）和/或的接触桥（3）由于金属层的热膨胀（31-35）和/或半导体层序列的不同的系数（2）。

公开(公告)号：WO2013037556A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：PCT/EP2012/064886

申请日：2012-07-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HALBRITTER, Hubert ,  HAAS, Heinz ,  JÄGER, Claus ,  STOJETZ, Bernhard

Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  HAAS, Heinz ,  JÄGER, Claus ,  STOJETZ, Bernhard

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L33/48 ,  F21V5/007 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen (1) angegeben, das die Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Anschlussträgerverbunds (20); b) Anordnen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (3, 31) auf dem Anschlussträgerverbund (20); c) Positionieren eines Rahmenverbunds (40) mit einer Mehrzahl von Öffnungen (41) derart relativ zum Anschlussträgerverbund (20), dass die Halbleiterchips (3, 31) jeweils in einer der Öffnungen (41) angeordnet sind; d) Positionieren einer Mehrzahl von optischen Elementen (5) derart relativ zum Rahmenverbund (40), dass die optischen Elemente die Öffnungen überdecken; und e) Vereinzeln des Anschlussträgerverbunds mit dem Rahmenverbund und den optischen Elementen in die Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen, so dass jedes optoelektronische Bauelement einen Anschlussträger (2) mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterchip, einen Rahmen (4) mit zumindest einer Öffnung und zumindest ein optisches Element aufweist. Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

Abstract translation: 它是一种用于制造多个上述光电器件（1）的方法，包括以下步骤的方法：a）提供一个连接载体组件（20）; b）中布置多个半导体芯片（3，31）（在连接支承组件20）; c）中定位具有多个孔（41）（相对于连接支承组件20，例如，以使半导体芯片（3，31）中的每个开口中的一个（41）被布置在框架组件（40））; D）将多个光学元件（5）（例如相对于框架组件40）的方式在，即光学元件覆盖开口; 和e）分离与所述框架组件和所述光学元件为多个光电器件的连接载体组件，使得每个光电子器件的连接架（2）与至少一种光电子半导体芯片，一个帧（4）具有至少一个开口和至少一个光学元件 有。 此外，光电元件中指定。

公开(公告)号：WO2019121407A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：PCT/EP2018/085005

申请日：2018-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÖNIG, Harald ,  STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  ALI, Muhammad

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) basierend auf dem Materialsystem AlInGaN mit mindestens einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung einer Laserstrahlung. Eine Wärmesenke (3) ist an die Halbleiterschichtenfolge (2) thermisch angebunden und weist zur Halbleiterschichtenfolge (2) hin einen thermischen Widerstand auf. Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist in mehrere Emitterstreifen (4) unterteilt und jeder Emitterstreifen (4) weist in Richtung senkrecht zu einer Strahlrichtung (R) eine Breite (b) von höchstens 0,3 mm auf. Die Emitterstreifen (4) sind mit einem Füllfaktor (FF) von kleiner oder gleich 0,4 angeordnet. Der Füllfaktor (FF) ist so eingestellt, dass im Betrieb Laserstrahlung mit einer maximalen optischen Ausgangsleistung (P) erzeugbar ist.

公开(公告)号：WO2018019776A1

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：PCT/EP2017/068659

申请日：2017-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph ,  LÖFFLER, Andreas ,  KÖNIG, Harald ,  SOMERS, André ,  VIERHEILIG, Clemens

IPC: G02B27/22 ,  H04N13/04

CPC classification number: G02B27/2214 ,  G02B27/2235 ,  G02B27/2264 ,  H04N13/305 ,  H04N13/307 ,  H04N13/32

Abstract: In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur autostereoskopischen Bildgebung gestaltet und umfasst die Schritte : - Bereitstellen einer autostereoskopischen Beleuchtungseinheit (1) mit mindestens einer Lichtquelle (2) und mit einem Linsenfeld (3) aus vielen Einzellinsen (33), wobei das Linsenfeld (3) von außen gesehen bevorzugt konvex gekrümmt und von der Lichtquelle (2) aus gesehen bevorzugt konkav gekrümmt ist, und - Modulieren einer Abstrahlcharakteristik der Lichtquelle (2), sodass die Einzellinsen (33) je nur zum Teil von der Lichtquelle (2) ausgeleuchtet werden, wobei Licht von der Lichtquelle (2) so auf die Einzellinsen (33) trifft, sodass durch die Einzellinsen (3) eine Abstrahlcharakteristik eines darzustellenden dreidimensionalen Objekts nachgeahmt wird.

Abstract translation:

在一个示例性导航用途货币形式，自动立体成像方法，设计并包括以下步骤： - 提供一种自动立体照明单元（1），具有至少一个光源（2）和透镜阵列（3）的许多单独的透镜的 （33），其中，所述透镜阵列（3）的Au ROAD看出烯从光源MMT看出优选凸冠导航使用（2）的优选凹冠导航用途是MMT，以及 - 调制所述光源的辐射特性（2），使得各个透镜 （33）每个只部分地从所述光源（2），以从所述光源（2）被照明，与光到各个透镜（33），从而使显示的三维物体的发射特性是由单独的透镜模拟（3）。< / p>

公开(公告)号：WO2014019986A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：PCT/EP2013/065911

申请日：2013-07-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  LELL, Alfred ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/10 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/1082 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0283 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/343 ,  H01S2301/02 ,  H01S2301/18

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode angegeben mit den Schritten: -epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3) auf einem Aufwachssubstrat (1), -Ausbilden einer Frontfacette (5) an der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Aufwachssubstrat (1), wobei die Frontfacette (5) als Hauptabstrahlfläche mit einem Lichtabstrahlbereich (6) für das in der fertig gestellten Halbleiterlaserdiode erzeugte Laserlicht (30) eingerichtet wird, -Ausbilden einer Auskoppelbeschichtung (9) auf einem zweiten Teil (52) der Frontfacette (5), wobei der erste Teil (51) und der zweite Teil (52) in einer Richtung parallel zur Frontfacette (5) und entlang einer Aufwachsrichtung der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest teilweise nebeneinander angeordnet werden, so dass der erste Teil (51) zumindest teilweise frei von der Auskoppelbeschichtung (9) und der zweite Teil (52) zumindest teilweise frei von der Lichtblockierschicht (8) ist, und wobei der zweite Teil (52) den Lichtaustrittsbereich (6) aufweist, -Ausbilden einer Lichtblockierschicht (8) auf einem ersten Teil (51) der Frontfacette (5). Weiterhin wird eine Halbleiterlaserdiode angegeben.

Abstract translation: 制造设置有以下步骤的半导体激光二极管的方法，包括：-epitaktisches生长半导体层序列（2）具有至少一个有源层（3）在生长衬底上（1），-Ausbilden前端面（5）上的半导体层序列（2）和 生长衬底，（6）产生的在完成的半导体激光二极管（1），其中，所述前端面（5）被建立为具有发光区域的主辐射，激光（30），-Ausbilden一个Auskoppelbeschichtung（9）上的第二部分（52） 前端面（5），其中，所述第一部分（51）和平行于所述前端面（5）的方向上的第二部分（52）和沿所述半导体层序列（2）的生长方向被并排布置为至少部分侧，以使所述第一部分（51 是）至少部分地暴露（由Auskoppelbeschichtung 9）和第二部分（52）至少部分地暴露（从光阻挡层8） 并且其中，所述第二部分（52）具有的光出射面（6），上述前方端面（5）的第一部分（51）-Ausbilden光阻挡层（8）。 另外，一个半导体激光二极管被指定。

公开(公告)号：WO2018234068A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：PCT/EP2018/065185

申请日：2018-06-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  STOJETZ, Bernhard

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt, wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Oberflächenbereich (20) aufweist, auf dem in unmittelbarem Kontakt eine erste Mantelschicht (4) aufgebracht ist, wobei die erste Mantelschicht (4) ein transparentes Material aus einem von der Halbleiterschichtenfolge (2) verschiedenen Materialsystem aufweist und wobei die erste Mantelschicht (4) strukturiert ist und eine erste Struktur aufweist.

公开(公告)号：WO2018219667A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：PCT/EP2018/062903

申请日：2018-05-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STOJETZ, Bernhard ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  GERHARD, Sven

IPC: H01S3/063 ,  H01S3/0941 ,  H01S5/04 ,  H01S5/10 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40 ,  H01S3/16 ,  H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/042 ,  H01S3/094 ,  H01S5/028

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angeben, die einen ersten Resonator (1) und einen zweiten Resonator (2) aufweist, die parallele Resonatorrichtungen entlang einer longitudinalen Richtung (93) aufweisen und die monolithisch in die Halbleiterlaserdiode (100) integriert sind, wobei der erste Resonator (1) zumindest einen Teil einer Halbleiterschichtenfolge (12) mit einer aktiven Schicht (13) und einem aktiven Bereich (15) aufweist, der im Betrieb der Halbleiterlaserdiode (100) zur Erzeugung eines ersten Lichts (19) elektrisch gepumpt werden kann, die longitudinale Richtung (93) parallel zu einer Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht (13) ist, und der zweite Resonator (2) einen aktiven Bereich (25) mit einem laseraktiven Material (21) aufweist, das im Betrieb der Halbleiterlaserdiode (100) zur Erzeugung eines aus dem zweiten Resonator (2) teilweise nach außen abgestrahlten zweiten Lichts (29) durch zumindest einen Teil des ersten Lichts (19) optisch gepumpt werden kann.

公开(公告)号：WO2018122103A1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：PCT/EP2017/084144

申请日：2017-12-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GERHARD, Sven ,  EICHLER, Christoph ,  LELL, Alfred ,  STOJETZ, Bernhard

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt, wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Oberflächenbereich (20) aufweist, auf dem in unmittelbarem Kontakt eine zusammenhängende Kontaktstruktur (4) aufgebracht ist, wobei die Kontaktstruktur (4) in zumindest einem ersten Kontaktbereich (241) ein erstes elektrisches Kontaktmaterial (41) in unmittelbarem Kontakt mit dem Oberflächenbereich (20) und in zumindest einem zweiten Kontaktbereich (242) ein zweites elektrisches Kontaktmaterial (42) in unmittelbarem Kontakt mit dem Oberflächenbereich (20) aufweist und wobei der erste und zweite Kontaktbereich (241, 242) aneinander angrenzen.