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    RÜCKREFLEXSCHUTZ DURCH VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR INTERFERENZ EINES LASERPULSES
    3.
    发明申请
    RÜCKREFLEXSCHUTZ DURCH VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR INTERFERENZ EINES LASERPULSES 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023088544A1

    公开(公告)日：2023-05-25

    申请号：PCT/EP2021/081909

    申请日：2021-11-17

    申请人： TRUMPF LASERSYSTEMS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING GMBH

    发明人： KRAUSS, Guenther

    IPC分类号： H01S3/00 ,  G02F1/21 ,  H05G2/00

    摘要： Die Erfindung betrifft einen Rückreflexschutz durch destruktive Interferenz eines rücklaufenden Laserpulses. Ein vorlaufender Laserpuls (30) wird aufgeteilt, ein erster vorlaufender Laserpulsteil (30a) durchläuft im Gegensatz zu einem zweiten vorlaufenden Laserpulsteil (30b) einen ersten Strahlpfad (19). Die beiden Laserpulsteile (30a, b) werden zumindest teilweise konstruktiv überlagert. Danach wird der vorlaufende Laserpuls (30) reflektiert und der reflektierte, rücklaufende Laserpuls durchläuft grundsätzlich denselben Weg wie der vorlaufende Laserpuls (30), allerdings wird ein rücklaufender erster Laserpulsteil beim Durchlaufen des ersten Strahl pfads (19) so phasenverschoben, dass er sich mit einem rücklaufenden zweiten Laserpulsteil auf seinem Weg zur Laserstrahlquelle (14) zumindest teilweise, insbesondere vollständig, destruktiv überlagert, sodass die Laserstrahlquelle (14) vor dem rücklaufenden Laserpuls geschützt ist.

    一种电致变色器件及其制备、控制方法
    4.
    发明申请
    一种电致变色器件及其制备、控制方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023087809A1

    公开(公告)日：2023-05-25

    申请号：PCT/CN2022/112547

    申请日：2022-08-15

    申请人： 海信视像科技股份有限公司

    发明人： 杨兰兰 ,  樊聪聪 ,  穆琳佳 ,  金南德 ,  赵康 ,  达仕勋

    IPC分类号： G02F1/15

    摘要： 一种电致变色器件（100）及其制备、控制方法，电致变色器件（100）包括第一电极层（1）、第二电极层（2）、变色功能层（3）和中间层（4，16）。第二电极层（2）设置于第一电极层（1）的一侧，且与第一电极层（1）相对设置。变色功能层（3）设置于第一电极层（1）和第二电极层（2）之间。中间层（4，16）设置于第一电极层（1）和第二电极层（2）之间。其中，中间层（4，16）被配置为捕获电极层（1，2）与变色功能层（3）之间传输的至少部分电子电荷，或，在电致变色器件（100）被按压时在被按压区域产生形变，在产生形变的位置显色或褪色。

    PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT WITH A RANDOM SPARSE OPTICAL PHASED ARRAY
    6.
    发明申请
    PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT WITH A RANDOM SPARSE OPTICAL PHASED ARRAY 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023086513A1

    公开(公告)日：2023-05-19

    申请号：PCT/US2022/049606

    申请日：2022-11-10

    申请人： RAYTHEON BBN TECHNOLOGIES, CORP.

    发明人： SOLTANI, Moe, D. ,  LEATHAM, James, G. ,  SMITH, Duane, D. ,  NIECHAYEV, Alexander

    IPC分类号： G02F1/29 ,  H01Q3/26

    摘要： A photonic integrated circuit (PIC) is disclosed herein. The PIC can include a substrate, a main optical waveguide supported by the substrate. The main optical waveguide can be in communication with an electromagnetic radiation source, and configured to receive electromagnetic radiation from the electromagnetic radiation source. A first branch optical waveguide can be optically coupled to the main optical waveguide at a first location. An optical phased array (OPA) can include plurality of array elements, each having an optical antenna and an optical phase modulator. At least some array elements within a first subset of the plurality of array elements can be optically coupled to the first branch optical waveguide wherein locations of at least some of the plurality of array elements are aperiodic in one or more directions on the substrate.

    III-V/SI HYBRID MOS OPTICAL MODULATOR WITH A TRAVELING-WAVE ELECTRODE
    7.
    发明申请
    III-V/SI HYBRID MOS OPTICAL MODULATOR WITH A TRAVELING-WAVE ELECTRODE 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023086009A1

    公开(公告)日：2023-05-19

    申请号：PCT/SG2021/050692

    申请日：2021-11-11

    申请人： ADVANCED MICRO FOUNDRY PTE LTD

    发明人： LI, Qiang ,  LUO, Xianshu

    IPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225

    摘要： A III-V/Si hybrid MOS optical modulator with a traveling-wave electrode for high-efficiency and high-bandwidth optical modulation is disclosed. The III-V/Si hybrid MOS optical modulator equipped with a traveling-wave electrode becomes a traveling-wave modulator. The traveling-wave modulator comprises a III-V compound semiconductor layer, a silicon layer and an oxide layer between the III-V compound semiconductor layer and the silicon layer. The traveling-wave modulator comprises of at least one first metallic layer, at least one second metallic layer and a semiconductor layer. The electrode trace width of each second metallic layer and the spacing between adjacent second metallic layers are adjusted to achieve the impedance and velocity matching. A traveling-wave electrode is designed to integrate with the III-V/Si hybrid MOS optical modulator under forward and reverse bias.

    液晶表示装置
    10.
    发明申请
    液晶表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2023085289A1

    公开(公告)日：2023-05-19

    申请号：PCT/JP2022/041617

    申请日：2022-11-08

    申请人： スタンレー電気株式会社

    发明人： 濱本　学

    IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1337

    摘要： マルチドメイン垂直配向型液晶表示装置は、対向配置され、透光性を有する第１、第２の基板と、第１、第２の基板の対向面上に形成された所定パターンの第１、第２の透明電極であり、電極を略長方形状に除去して形成された複数のスリットを有し、一方の基板上のスリットと他方の基板上のスリットとが、該スリットの長手方向と直交する方向に沿って、交互に配置されている第１、第２の透明電極と、第１、第２の透明電極を覆って形成された第１、第２の垂直配向膜と、第１、第２の垂直配向膜間のスペースを充填する液晶層であって、非イオン性物質を含んで形成され、静電気放電による危害を低下させる機能を有する帯電除去機能剤を添加された液晶層と、を含む。