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公开(公告)号：WO2023072127A1
公开(公告)日：2023-05-04
申请号：PCT/CN2022/127599
申请日：2022-10-26
Applicant: 青岛高测科技股份有限公司
Abstract: 一种硅棒切割系统的切割装置（4）及硅棒切割系统。切割装置（4），包括：支撑框架（44），用于安装在硅棒切割系统的机座（1）之上；两个切割机头机构（41），切割机头机构（41）具有金刚线，金刚线的切割段用于在运动中对硅棒自上而下进行切割；进给机构，支撑框架（44）和两个切割机头机构（41）通过进给机构连接，且两个切割段相对设置；其中，进给机构用于带动两个切割机头机构（41）相向和相背运动调整两个切割段之间的距离，还用于带动两个切割机头机构（41）在垂向方向上下运动对竖向设置的硅棒进行切割及复位。切割装置（4）能够适用于对多种直径的硅棒的进行竖向切割，通用性很强。还涉及包括该切割装置（4）的切割系统。
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公开(公告)号：WO2022239469A1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：PCT/JP2022/012016
申请日：2022-03-16
Applicant: 日本電気硝子株式会社
Abstract: ガラスリボン２を折割って被切出部３をガラス板４として切り出すガラス板の製造装置１について、被切出部３を保持しながらガラスリボン２を折割る折割機構８を備え、折割機構８が、被切出部３における幅方向の一方側端部３ａおよび他方側端部３ａのそれぞれの保持および保持状態の解放を行う保持部材１０を備え、保持部材１０は、被切出部３の対応する端部３ａを挟んで保持した閉状態と、対応する端部３ａの保持状態を解放した開状態と、を切換可能であり、折割機構８は、開状態への切り換えに伴って落下中の被切出部３と接触して被切出部３の横方向への変位を規制する規制部材１２を更に備えるようにした。
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公开(公告)号：WO2022239468A1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：PCT/JP2022/011986
申请日：2022-03-16
Applicant: 日本電気硝子株式会社
Abstract: 縦姿勢で下方に搬送中のガラスリボン２を折割って幅方向に切断することで、ガラスリボン２から被切出部３をガラス板４として切り出す、ガラス板の製造装置１について、被切出部３を保持しながらガラスリボン２を折割る折割機構８を備え、折割機構８が、正規位置Ｐ１にある被切出部３を捉えて保持する保持部材１０と、保持部材１０による保持に先行して被切出部３の正規位置Ｐ１からの厚み方向への位置ずれを矯正する矯正部材１１と、を備えるようにした。
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公开(公告)号：WO2022156018A1
公开(公告)日：2022-07-28
申请号：PCT/CN2021/076902
申请日：2021-02-19
Applicant: 宁波云德半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种浸润式的石英产品切割装置，包括底座、切削液盘、切割机构、冷却过滤装置、金刚石线锯，移动平台可滑动安装在底座上，所述切削液盘上设有凹槽，冷却过滤装置和切削液盘之间用进液管和出液管相连，冷却过滤装置包括箱体、离心机、过滤机和冷却装置，切屑液盘安装在移动平台上，移动平台上设有与转台相连的转台驱动装置，所述底座上安装有支撑架，支撑架两侧安装有可转动的转轮，所述金刚石线锯呈封闭环形且环形两端绕在两个转轮上，通过控制转轮的转动、移动平台的移动情况可控制石英产品的切割，切削液没过金刚石线锯切割位置。本发明具有切割表面平整、无崩边和破碎层，切割效率和良品率高，排屑冷却效果好等优点。
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公开(公告)号：WO2021250975A1
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：PCT/JP2021/011941
申请日：2021-03-23
Applicant: 日本電気硝子株式会社
IPC: C03B33/033 , B26F3/00 , B28D5/00 , B28D7/02 , C03B17/06 , C03B33/027
Abstract: ガラス板の製造装置は、縦姿勢で下方に搬送されるガラスリボンＧＲを切断することによりガラス板ＧＳを形成する切断装置１を備える。切断装置１は、ガラスリボンＧＲを切断する切断機構５と、切断機構５を駆動する駆動部６と、駆動部６から発生する塵埃を回収する集塵装置４と、を備える。
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公开(公告)号：WO2021218656A1
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：PCT/CN2021/087696
申请日：2021-04-16
Applicant: 常州时创能源股份有限公司
Abstract: 一种硅棒切割工艺，包括如下步骤：对硅棒（1）开方，切割出与硅棒同向延伸的中心硅块（21）和四个边皮料，将四个边皮料切割出与硅棒同向延伸的第一小硅块（22）、第二小硅块（23）和第三小硅块（24）；第一小硅块、第三小硅块的横截面长度为中心硅块横截面宽度的二分之一，第二小硅块的横截面长度与中心硅块横截面宽度相同，对中心硅块、第一小硅块、第二小硅块、第三小硅块切片，切片方向与硅棒的延伸方向平行。故切片所得硅片长度尺寸可不受硅棒直径的限制，易于制备长度尺寸较大的长方形硅片，且可以切割出两种宽度规格的硅片，提高硅棒的利用率，降低硅片的生产成本。
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公开(公告)号：WO2021082514A1
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：PCT/CN2020/100651
申请日：2020-07-07
Applicant: 常州时创能源股份有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 一种晶硅边皮料的切割方法，将单晶硅边皮料或多晶硅边皮料切割成长方体状硅块，将长方体状硅块进一步切割成硅片。
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公开(公告)号：WO2021079586A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：PCT/JP2020/029738
申请日：2020-08-04
Applicant: 住友電工ハードメタル株式会社
IPC: B23B27/14 , B23B27/20 , B23P15/28 , B28D5/00 , C04B41/91 , C04B35/52 , C01B32/205 , C01B32/28 , C30B29/04
Abstract: ダイヤモンド切削工具は、単結晶ダイヤモンドまたはバインダレス多結晶ダイヤモンドと、グラファイトとを備える刃先部を含み、単結晶ダイヤモンドまたはバインダレス多結晶ダイヤモンドを構成する炭素を第１炭素とし、グラファイトを構成する炭素を第２炭素とし、刃先部の表面においてラマン分光分析を行った場合、前記表面における第１炭素のピーク強度Ｉｄ１と前記表面における第２炭素のピーク強度Ｉｇ１との和に対するＩｇ１の比率Ｒ１は、０．５以上１以下であり、前記表面から１μｍの深さに位置する面においてラマン分光分析を行った場合、前記表面から１μｍの深さに位置する面における第１炭素のピーク強度Ｉｄ２と前記表面から１μｍの深さに位置する面における第２炭素のピーク強度Ｉｇ２との和に対するＩｇ２の比率Ｒ２は、０．０１以上０．３以下である。
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公开(公告)号：WO2021030775A1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：PCT/US2020/046558
申请日：2020-08-14
Applicant: ABM CONSULTING, L.L.C.
Inventor： BEERS, Andrew , MACKLIN, Ronald
Abstract: Reclamation or recycling of a semiconductor workpiece includes vaporizing the structures and materials deposited, implanted, or formed in or on the substrate with minimally acceptable damage to the crystalline substrate through direct ionic vaporization rather than thermal ablation. The purity of the substrate therefore remains substantially free from heavy metal surface contamination and has a surface roughness that may be polished to a mirror-like finish using chemical mechanical polishing or lapping processes. The process includes focusing coherent light on a surface of the substrate with a predetermined wavelength, power, pulse width, and pulse rate or number of pulses per unit area that causes direct ionic vaporization of material formed in or on the surface of the substrate up to a predetermined penetration depth. Advantageously, patterned, previously used test, and out of specification wafers may be reclaimed for reuse or recycled without risk of the unintended disclosure of intellectual property.
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