Invention Grant
CN100339997C 含有非易失性存储器的半导体器件及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 含有非易失性存储器的半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same
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Application No.: CN200410003750.0Application Date: 2004-01-30
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Publication No.: CN100339997CPublication Date: 2007-09-26
- Inventor: 竹渕政孝 , 荒井史隆
- Applicant: 株式会社东芝
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee: 株式会社东芝
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 王永刚
- Priority: 188889/2003 2003.06.30 JP
- Main IPC: H01L27/105
- IPC: H01L27/105 ; H01L27/115 ; H01L21/8247 ; H01L21/8234 ; H01L21/8239
Abstract:
本发明公开了含有非易失性存储器的半导体器件。倘采用该半导体器件，则把第2栅极电极膜用做逻辑电路的栅极电极膜和非易失性存储器的控制栅极电极膜。该构造在第2栅极电极膜形成后的热处理比较少，更适合于构成逻辑电路的晶体管的微细化。
Public/Granted literature
- CN1577863A 含有非易失性存储器的半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:2005-02-09
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IPC分类:
