发明授权
- 专利标题： 发光器件的制造方法
- 专利标题（英）： Lighting element, and its mfg. method
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申请号： CN200410043463.2申请日： 1997-04-25
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公开(公告)号： CN100353573C公开(公告)日： 2007-12-05
- 发明人: 国里竜也 , 狩野隆司 , 上田康博 , 松下保彦 , 八木克己
- 申请人： 三洋电机株式会社
- 申请人地址： 日本大阪
- 专利权人： 三洋电机株式会社
- 当前专利权人： 晶元光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本大阪
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 张政权
- 优先权： 107833/96 1996.04.26 JP; 055221/97 1997.03.10 JP
- 分案原申请号： 971108064
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01S5/00
摘要：
一种发光器件的制造方法，包括形成由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
公开/授权文献
- CN1540775A 发光器件及其制造方法 公开/授权日：2004-10-27
IPC分类:
