-
公开(公告)号：CN101459318B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910000559.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0243 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
-
公开(公告)号：CN1331282C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03159420.4
申请日：2003-09-19
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0218 , H01S5/0425 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供氮化物系半导体激光元件，能谋求激光的稳定化，同时抑制阈值电流和动作电流的增大。该氮化物系半导体激光元件包括由经掺杂的氮化物系半导体及硅化物系材料二者之一组成的基板，形成于基板上的n型包层，由形成于n型包层上的氮化物系半导体构成的活性层，形成于活性层上的p型包层，活性层，仅在n型包层及p型包层之间中的活性层与p型包层之间形成的光导层。
-
公开(公告)号：CN1220278C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN97110806.4
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的III-V族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由III-V族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的III-V族氮化物系列半导体构成的包层。所述覆盖层是抑制铟从所述有源层失去的层。
-
公开(公告)号：CN100517773C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03159402.6
申请日：2003-09-18
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，该氮化物系半导体发光元件通过减少在接触层的光吸收损失，可提高发光效率。该氮化物系半导体发光元件具备在基板上形成的第1导电型的第1氮化物系半导体层，形成于第1氮化物系半导体层上的由氮化物系半导体层构成的活性层，形成于活性层上的第2导电型的第2氮化物系半导体层，形成于第2氮化物系半导体层上的未掺杂接触层和形成于未掺杂接触层上的电极。
-
公开(公告)号：CN101459318A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200910000559.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0243 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101043121A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610154358.5
申请日：2006-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明得到一种能够抑制特性降低和合格率降低的氮化物类半导体发光元件的制造方法。该氮化物类半导体发光元件的制造方法包括：通过将与氮化物类半导体基板的发光部分对应的氮化物类半导体基板的第一区域以外的第二区域的规定区域有选择地去除到规定的深度，在氮化物类半导体基板上形成槽部的工序；和在氮化物类半导体基板的第一区域和槽部，形成其组成与该氮化物类半导体基板不同的氮化物类半导体层的工序。
-
公开(公告)号：CN1169036A
公开(公告)日：1997-12-31
申请号：CN97110806.4
申请日：1997-04-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0213 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种发光器件包括由第一导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层。
-
公开(公告)号：CN1841864B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610066495.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/30 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。
-
公开(公告)号：CN102208754A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110065454.3
申请日：2011-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 狩野隆司
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2231 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体激光元件，其具备：由氮化物系半导体构成的活性层；和形成于该活性层上且由氮化物系半导体构成的p型包覆层。而且，p型包覆层内的活性层侧区域的折射率低于p型包覆层内的活性层侧相反侧区域的折射率。
-
公开(公告)号：CN1841864A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066495.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/30 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.02 seconds)
