在提高具有沉积层构造的导电性阻挡层的阻挡氧元素性的同时，防止在具有沉积层构造的导电性阻挡层上生成浮起或者是剥离得到接触电阻的安定化。半导体装置，具有与电容元件(21)和晶体管的源极区域或者是漏极区域(13)电连接的针型接触点(15)，形成在该针型接触点(15)上的只是高熔点金属氮化物的氮化钛形成的导电层(16A)，氮化钛铝膜，铱膜，氧化铱膜的沉积层形成的防止氧元素扩散的多结晶状导电性氧阻挡层(17)。通过将由结晶定向性低的氮化钛形成的导电层(16A)设置在导电性氧阻挡层17的下侧，在导电层(16A)直接上面形成的导电性氧阻挡膜的氮化钛铝膜就会成为致密的膜构造，可以有效地防止氧元素的侵入。