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公开(公告)号：CN1610119A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410086599.1
申请日：2004-10-19
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L27/11507 , H01L21/28568 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/75
摘要： 在提高具有沉积层构造的导电性阻挡层的阻挡氧元素性的同时，防止在具有沉积层构造的导电性阻挡层上生成浮起或者是剥离得到接触电阻的安定化。半导体装置，具有与电容元件(21)和晶体管的源极区域或者是漏极区域(13)电连接的针型接触点(15)，形成在该针型接触点(15)上的只是高熔点金属氮化物的氮化钛形成的导电层(16A)，氮化钛铝膜，铱膜，氧化铱膜的沉积层形成的防止氧元素扩散的多结晶状导电性氧阻挡层(17)。通过将由结晶定向性低的氮化钛形成的导电层16A设置在导电性氧阻挡层17的下侧，在导电层16A直接上面形成的导电性氧阻挡膜的氮化钛铝膜就会成为致密的膜构造，可以有效地防止氧元素的侵入。
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公开(公告)号：CN1225793C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03142356.6
申请日：2003-06-10
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 久都内知惠
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/822
CPC分类号： H01L28/75 , H01L21/28568 , H01L21/76895 , H01L28/55 , H01L28/65
摘要： 一种半导体装置，在半导体基板(100)上，为覆盖一对杂质扩散层(102)、栅极绝缘膜(103)以及栅极(104)构成的晶体管而形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜(106)上，形成由没有取向的氧化钛铝构成的密接层(107)。在密接层(107)上，介入第1导电性势垒层(108)以及第2导电性势垒层(109)后，形成由下部电极(110)、电容绝缘膜(111)以及上部电极(112)构成电容元件。晶体管和电容元件，通过在层间绝缘膜(106)以及密接层(107)中埋入的导电性插栓(113)进行连接。可以提高在层间绝缘膜的内部形成导电性插栓与在层间绝缘膜上形成的电容元件之间的密接性。
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公开(公告)号：CN1173403C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN98103420.9
申请日：1998-07-24
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L28/55
摘要： 一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部，形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上，形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。
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公开(公告)号：CN1469479A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03142356.6
申请日：2003-06-10
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 久都内知惠
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/822
CPC分类号： H01L28/75 , H01L21/28568 , H01L21/76895 , H01L28/55 , H01L28/65
摘要： 一种半导体装置，在半导体基板(100)上，为覆盖一对杂质扩散层(102)、栅极绝缘膜(103)以及栅极(104)构成的晶体管而形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜(106)上，形成由没有取向的氧化钛铝构成的密接层(107)。在密接层(107)上，介入第1导电性势垒层(108)以及第2导电性势垒层(109)后，形成由下部电极(110)、电容绝缘膜(111)以及上部电极(112)构成电容元件。晶体管和电容元件，通过在层间绝缘膜(106)以及密接层(107)中埋入的导电性插栓(113)进行连接。可以提高在层间绝缘膜的内部形成导电性插栓与在层间绝缘膜上形成的电容元件之间的密接性。
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公开(公告)号：CN100470806C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200480000228.5
申请日：2004-03-12
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/65 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L28/75
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备：第一氢阻挡膜，在第一氢阻挡膜上形成的电容元件，以覆盖电容元件的方式形成的第二氢阻挡膜。第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜至少包含1个使第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜密接的同一种原子。
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公开(公告)号：CN100377357C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410086599.1
申请日：2004-10-19
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L27/11507 , H01L21/28568 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/75
摘要： 在提高具有沉积层构造的导电性阻挡层的阻挡氧元素性的同时，防止在具有沉积层构造的导电性阻挡层上生成浮起或者是剥离得到接触电阻的安定化。半导体装置，具有与电容元件(21)和晶体管的源极区域或者是漏极区域(13)电连接的针型接触点(15)，形成在该针型接触点(15)上的只是高熔点金属氮化物的氮化钛形成的导电层(16A)，氮化钛铝膜，铱膜，氧化铱膜的沉积层形成的防止氧元素扩散的多结晶状导电性氧阻挡层(17)。通过将由结晶定向性低的氮化钛形成的导电层(16A)设置在导电性氧阻挡层17的下侧，在导电层(16A)直接上面形成的导电性氧阻挡膜的氮化钛铝膜就会成为致密的膜构造，可以有效地防止氧元素的侵入。
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公开(公告)号：CN1294625C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410028780.7
申请日：2004-03-18
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L28/55 , H01L21/7687 , H01L27/10852 , H01L28/65
摘要： 一种半导体装置及其制造方法，在层间绝缘膜(12)上，与触点(13)的上面相接地布图，形成防止氧原子从上方朝触点(13)扩散的导电性氧阻挡层(14)。该导电性氧阻挡层(14)由导电性氧化物(例如TiAlN)构成的下部层(14a)，和由导电性氧化物(例如IrO2)构成的上部层(14b)组成。在导电性氧阻挡层(14)的侧面上，形成由Al2O3构成的、厚度为20nm左右的绝缘性氧阻挡层(15)，防止来自导电性氧阻挡层(14)的下部层(14a)的侧傍、即来自朝向触头(13)的侧傍的氧原子的扩散。从而对与触点连接的电容元件，即使是小面积，也能防止触点氧化。
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公开(公告)号：CN1698205A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000228.5
申请日：2004-03-12
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/65 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L28/75
摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备：第一氢阻挡膜，在第一氢阻挡膜上形成的电容元件，以覆盖电容元件的方式形成的第二氢阻挡膜。第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜至少包含1个使第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜密接的同一种原子。
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公开(公告)号：CN1532892A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410028780.7
申请日：2004-03-18
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01L28/55 , H01L21/7687 , H01L27/10852 , H01L28/65
摘要： 一种半导体装置及其制造方法，在层间绝缘膜(12)上，与触点(13)的上面相接地布图，形成防止氧原子从上方朝触点(13)扩散的导电性氧阻挡层(14)。该导电性氧阻挡层(14)由导电性氧化物(例如TiAlN)构成的下部层(14a)，和由导电性氧化物(例如IrO2)构成的上部层(14b)组成。在导电性氧阻挡层(14)的侧面上，形成由Al2O3构成的、厚度为20nm左右的绝缘性氧阻挡层(15)，防止来自导电性氧阻挡层(14)的下部层(14a)的侧旁、即来自朝向触头(13)的侧旁的氧原子的扩散。从而对与触点连接的电容元件，即使是小面积，也能防止触点氧化。
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