Invention Grant
CN100417993C 薄膜电路的接合结构
失效 - 权利终止
- Patent Title: 薄膜电路的接合结构
- Patent Title (English): Bonding structure of thin film circuit
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Application No.: CN200580000295.1Application Date: 2005-03-22
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Publication No.: CN100417993CPublication Date: 2008-09-10
- Inventor: 久保田高史 , 松浦宜範 , 池田真 , 加藤和照
- Applicant: 三井金属鉱业株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 三井金属鉱业株式会社
- Current Assignee: 三井金属鉱业株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 沙永生
- Priority: 090316/2004 2004.03.25 JP; 329554/2004 2004.11.12 JP
- International Application: PCT/JP2005/005118 2005.03.22
- International Announcement: WO2005/093505 JA 2005.10.06
- Date entered country: 2005-11-24
- Main IPC: G02F1/1343
- IPC: G02F1/1343 ; H01L21/20 ; C23C14/14
Abstract:
本发明的课题是提供具备透明电极层和Al合金电极层的薄膜电路中即使不具备所谓的覆盖层，也能够实现透明电极层和Al合金电极层的直接接合的接合结构。本发明的具备透明电极层和与该透明电极层直接接合的Al合金电极层的液晶显示元件的接合结构的特征是，Al合金电极层中分散了具有-1.2V～-0.6V的范围内的氧化还原电位的析出物。
Public/Granted literature
- CN1774666A 薄膜电路的接合结构 Public/Granted day:2006-05-17
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IPC分类:
