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公开(公告)号：CN118600399A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410659427.6
申请日：2024-05-27
申请人： 吉林大学
摘要： 一种具有仿玫瑰花花瓣结构的柔性超疏水SALDI‑MS基底、制备方法及其在实现原位采样或小分子检测中的应用，属于质谱分析技术领域。本发明是以新鲜玫瑰花花瓣的上表面为模板，用PDMS翻制得到具有与玫瑰花花瓣上表面结构互补的PDMS结构作为模板I；再在模板Ⅰ带有结构的表面上蒸镀一层金属纳米薄膜；然后以其为模板，用PDMS翻制得到具有仿玫瑰花花瓣结构的PDMS基底；再利用水热反应法在该基底上原位生长ZnO纳米棒，从而得到所述的具有仿玫瑰花花瓣结构的柔性超疏水SALDI‑MS基底。本发明的柔性超疏水SALDI‑MS基底制作成本较低，材料易得，可以大规模、重复制备，具有高的检测重复性和灵敏性。
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公开(公告)号：CN118547242A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410574958.5
申请日：2024-05-10
申请人： 广东精研科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种物理气相沉积法制备黑色复合涂层，包括有基材，基材的表面由里向外依次沉积有预镀层、缓冲层、耐磨层、颜色层、保护层。本发明制备的金属纳米涂层、缓冲层加强复合涂层内部的粘结强度，耐磨层、颜色层提高膜层的结合力和耐磨性，保护层具有高致密性的防护膜层，具有高强度抗酸性效果，针对不锈钢17‑4 PH材质，可以达到高低温（40℃/65℃）人工汗、盐雾测试192小时合格效果；故本发明具有设计新颖、结构简单，具有高硬度、高耐腐蚀性，该制备工艺实现MIM件不锈钢17‑4 PH材质PVD后可以达到高低温（40℃/65℃）人工汗测试192小时合格，延长产品使用寿命，且生产工艺简单、生产成本低。
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公开(公告)号：CN118497689A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410563919.5
申请日：2017-08-02
申请人： 西格玛锂业有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/14 , H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M10/052
摘要： 本发明公开了一种在基板上形成锂涂层的方法，其包括：熔化固态锂靶，以形成熔融锂靶；搅拌熔融锂靶；蒸发至少部分搅拌的熔融锂靶，以形成蒸发的材料；以及将蒸发的材料冷凝在基板上，以形成锂涂层。
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公开(公告)号：CN118441253A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311372624.1
申请日：2023-10-23
申请人： 常州工学院
摘要： 本发明公开了一种用于快速相变、低功耗相变存储器的CuSnSb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用，所述CuSnSb纳米相变薄膜的化学组成为Cu32Sn10Sb58，所述CuSnSb纳米相变薄膜是以Sn15Sb85靶材和1/4扇形Cu靶材构成的复合靶材通过高真空环境磁控溅射方法沉积而成。本发明的Cu32Sn10Sb58纳米相变薄膜材料应用于半导体领域中的相变存储器，具有更快的晶化速度，能够极大提升相变存储器的存储速度；在SET和RESET过程电阻较小，因此能极大降低相变存储器的功耗；非晶态与晶态之间均方根粗糙度差异能使电极与相变材料之间更好的接触与断开，提升了器件可靠性。
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公开(公告)号：CN118360671A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410575524.7
申请日：2024-05-10
申请人： 厦门大学
摘要： 一种低成本高p型自掺杂GeIn单晶薄膜的制备方法，采用磁控溅射法先在Ge衬底上外延不同薄膜材料如Ge、GeSn或GePb缓冲层，其次降低衬底温度，在此基础上低温(210℃～250℃)外延生长一层GeIn单晶薄膜，最终实现低成本高质量和高p型掺杂的GeIn薄膜制备。
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公开(公告)号：CN118308698A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410391286.4
申请日：2024-04-02
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种防护用高硬度Cr涂层制备方法，属于表面工程领域。该涂层采用高功率脉冲磁控溅射技术制备，其脉冲特征可为高功率调制脉冲或高功率深振荡脉冲。与常规沉积技术相比，本发明制备出的高硬度Cr涂层其硬度一般在11.00‑18.00 GPa，生长结构致密，晶粒尺寸一般在10‑200 nm，呈现典型的T区结构，厚度一般为1‑200μm，本发明得到的Cr涂层具有高硬度，良好的耐磨性及耐腐蚀性，可应用于核反应堆芯燃料棒覆层提升其耐蚀性及使用寿命。
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公开(公告)号：CN117888063B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311859046.4
申请日：2023-12-30
申请人： 绍兴市德鑫包装材料有限公司
发明人： 程建华
摘要： 本发明公开了一种真空镀铝膜的制造方法，包括以下步骤：步骤一、将卷状的基材放置在真空镀铝机内的基材行进装置上；步骤二、抽真空使真空镀铝机内的真空度达到4X10‑4mbar以上；步骤三、加热蒸发装置使铝丝在1300℃‑1400℃的温度下融化并蒸发成气态铝；步骤四、驱动基材行进装置使基材移动；步骤五、当基材的移动速度在10m/s‑14.5m/s时，打开开口使气态铝微粒在移动的基材形成金属铝层。第二弧形面能够使气态铝朝向开口的中间汇聚，减少气态铝向四周的扩散，从而防止主腔室被扩散的气态铝污染。导流件的转动能够带动气流的移动，从而使扩散至扩散缝隙内气态铝在气流的带动下进入导流槽内，通过导流槽回流至蒸发室内，防止气态铝的扩散。
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公开(公告)号：CN118254446A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410359815.2
申请日：2024-03-27
申请人： 海宁市嘉华包装有限公司
IPC分类号： B32B27/36 , B32B27/06 , B32B33/00 , B29D7/01 , H10K50/844 , H10K59/80 , C09D163/00 , C09D7/61 , C09D7/62 , C23C14/24 , C23C14/14
摘要： 本申请涉及薄膜封装技术领域，本申请公开了一种柔性显示用高阻隔膜及其制备方法。一种柔性显示用高阻隔膜，包括依次贴合的负载有AG涂层的PET层、薄膜基材层、中间层和阻隔层；其中，按重量份数计，所述中间层的原料包括，有机硅改性环氧树脂35‑50份，气相二氧化硅6‑10份，绢云母5‑12份和助剂1‑5份。本申请采用特定的结构以及特定的原料制备得到的阻隔膜综合性能优异，具有优异的抗形变能力，以及阻隔性能。
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公开(公告)号：CN116770227B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310751182.5
申请日：2023-06-25
申请人： 东北大学 , 中国科学院金属研究所
摘要： 本发明涉及一种高强韧低内应力厚TiNi＆TiAl(Ni)NX/TiAlN复合硬质涂层及制备方法，属于防护涂层技术领域。该涂层以合金基体为衬底，采用多弧离子镀进行多靶共沉积技术制备，由内到外包括Ti粘结层、TiAlN过渡层和TiNi＆TiAl(Ni)NX/TiAlN功能层。本发明制备的涂层总厚度为5～30μm，显微硬度为2000 Hv以上。该涂层与基体结合性能优异，且涂层兼具高韧性、高硬度，低内应力、优良的抗裂纹扩展能力及抗高温氧化性能等特点，可适用于硬质合金切削刀具、以及不锈钢合金、钛合金、钛铝合金等材料的耐磨防护。
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公开(公告)号：CN118241161A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410349428.0
申请日：2024-03-26
申请人： 上海应用技术大学
摘要： 本发明涉及一种锆‑钛‑银非晶/银纳米晶体多层薄膜及其制备方法，所述多层薄膜包括依次沉积于基体表面、具有周期性调制结构的锆‑钛‑银非晶薄膜和银纳米晶体薄膜，所述多层薄膜采用一个周期时的总厚度为70‑100nm，所述多层薄膜的周期数为5‑15。与现有技术相比，本发明维持高硬度的同时进一步降低了弹性模量。
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