半导体存储装置具有：半导体基片，其在表面部分形成了元件分离区及未形成该元件分离区的有源区；在有源区形成的作为源极或漏极来动作的2个源极/漏极扩散区；在这2个源极/漏极扩散区之间确定的沟道区；在第1方向延伸的多个第1位线；在第1方向延伸的多个第2位线；在第2方向延伸并排列在该第2方向的有源区的沟道区上隔着绝缘体来设置，在沟道区上作为栅电极来起作用的多个字线；对该栅电极，在源极/漏极扩散区的一方侧与另一方侧的侧壁形成，具有保持电荷或极化的功能的存储功能体。根据选择规定的字线及第1位线及第2位线而被特定的存储功能体中所保持的电荷或极化的多寡，流经沟道区的电荷量发生变化。