Invention Grant
CN100439555C 多晶MgO蒸镀材料
失效 - 权利终止
- Patent Title: 多晶MgO蒸镀材料
- Patent Title (English): Polycrystalline mgo vapor deposition material
-
Application No.: CN200380101029.9Application Date: 2003-10-09
-
Publication No.: CN100439555CPublication Date: 2008-12-03
- Inventor: 樱井英章 , 丰口银二郎 , 黑光祥郎 , E-C·帕克
- Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社 , LG电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 三菱麻铁里亚尔株式会社,LG电子株式会社
- Current Assignee: 三菱麻铁里亚尔株式会社,LG电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 中国专利代理(香港)有限公司
- Agent 郭煜; 庞立志
- Priority: 296861/2002 2002.10.10 JP
- International Application: PCT/JP2003/012976 2003.10.09
- International Announcement: WO2004/033749 JA 2004.04.22
- Date entered country: 2005-04-07
- Main IPC: C23C14/24
- IPC: C23C14/24 ; H01J11/02
Abstract:
在含有MgO纯度为99.9%以上、且相对密度为90%以上的多晶MgO的烧结颗粒的等离子体显示屏的保护膜用多晶MgO蒸镀材料中，多晶MgO中含有的Si浓度为30ppm以上，小于500ppm。该材料用作等离子体显示屏材料，其在宽的温度范围内具有良好的放电应答性，得到提高屏幕辉度的等离子体显示屏，并且不降低屏幕的辉度，大幅度减少地址IC数。
Public/Granted literature
- CN1703532A 多晶MgO蒸镀材料 Public/Granted day:2005-11-30
Information query
IPC分类:
