发明授权
- 专利标题： 半导体器件和用于制造半导体器件的方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
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申请号： CN200610006642.8申请日： 2006-01-27
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公开(公告)号： CN100448008C公开(公告)日： 2008-12-31
- 发明人: 木下敦宽 , 土屋义规 , 古贺淳二
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 秦晨
- 优先权： 2005－019293 2005.01.27 JP
- 主分类号： H01L27/088
- IPC分类号： H01L27/088 ; H01L21/8234
摘要：
一种半导体器件，其包括半导体衬底；在该半导体衬底上形成的第一栅极绝缘膜；在该半导体器件上形成的第二栅极绝缘膜；在该第一栅极绝缘膜上形成并完全硅化的第一栅电极；和在第二栅电极上形成并完全硅化的第二栅电极，第二栅极绝缘膜的栅极长度和栅极宽度大于第一栅电极的长度和宽度，且第二栅极绝缘膜的厚度小于第二栅电极的厚度。
公开/授权文献
- CN1819200A 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 公开/授权日：2006-08-16
IPC分类:
