发明授权
CN100454545C 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）： Semiconductor device and method of manufacturing the same
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申请号： CN200610127037.6申请日： 2006-09-21
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公开(公告)号： CN100454545C公开(公告)日： 2009-01-21
- 发明人: 大竹诚治 , 神田良 , 菊地修一
- 申请人： 三洋电机株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号
- 专利权人： 三洋电机株式会社
- 当前专利权人： 三洋电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 权鲜枝
- 优先权： 2005－280520 2005.09.27 JP
- 主分类号： H01L27/04
- IPC分类号： H01L27/04 ; H01L21/761 ; H01L21/822
摘要：
提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，由于向构成隔离区域的P型的扩散层的横方向的扩散变宽，有难以缩小设备大小的问题。在本发明的半导体装置中，在P型的单晶硅基板(6)上形成有N型的外延层(8)。基板(6)及外延层(8)由隔离区域(3)划分为多个元件形成区域。连结P型的埋入扩散层(47)和P型的扩散层(48)而形成隔离区域(3)。而且，P型的埋入扩散层(47)与N型的埋入扩散层(7、30)形成PN结。另一方面，P型的扩散层(48)与N型的扩散层(19、40)形成PN结。通过该结构，P型的埋入扩散层(47)及P型扩散层(48)，能够抑制横方向的扩散变宽，缩小设备大小。
公开/授权文献
- CN1941373A 半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2007-04-04
IPC分类:
