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公开(公告)号：CN101097961B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710126349.X
申请日：2007-06-29
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L21/266 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/4933 , H01L29/66681
摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置、例如在具有补偿栅构造的MOS晶体管中，具有器件尺寸难以缩小的问题。本发明的半导体装置、例如在具有补偿栅构造的P沟道型MOS晶体管(1)中，在N型外延层(3)上、在源极区域与漏极区域之间形成有LOCOS氧化膜(20、21)。栅极电极(14、15)配置在LOCOS氧化膜(20、21)上。并且，作为漏极区域的P型扩散层(6、7)以及作为源极区域的P型扩散层(12、13)相对于栅极电极(14、15)位置精度良好地形成。通过该结构，能够缩小MOS晶体管(1)的器件尺寸。
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公开(公告)号：CN100505320C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610094110.4
申请日：2006-06-22
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L29/866 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/866 , H01L29/66106
摘要： 一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，由于硅表面的结晶缺陷等原因而存在齐纳二极管特性波动的问题。本发明的半导体装置在P型单晶硅衬底(2)上形成N型外延层(4)。在外延层(4)上形成作为阳极区域的P型扩散层(5、6、7、8)以及作为阴极区域的N型扩散层(9)。通过P型扩散层(8)和N型扩散层(9)的PN结区域，构成齐纳二极管(1)。通过该结构，电流路径成为外延层(4)深部，可防止由于外延层(4)表面的结晶缺陷等而引起的齐纳二极管(1)的饱和电压波动。
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公开(公告)号：CN101097960A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710126348.5
申请日：2007-06-29
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66681
摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，具有由于漏极-源极间的耐击穿电压的降低而难以得到所希望的耐压特性的问题。本发明的半导体装置中，在N型外延层(3)上形成有P型扩散层(5)。在P型扩散层(5)上形成有作为反向栅区域的N型扩散层(8)。N型扩散层(8)通过使用了漏极电极(12、13)的自调整技术形成。通过该构成，能够使作为源极区域的P型扩散层(10、11)附近的N型扩散层(8)的杂质浓度成为高浓度。并且，可提高漏极-源极间的耐击穿电压，实现MOS晶体管(1)的希望耐压特性。
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公开(公告)号：CN1992338A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610149406.1
申请日：2006-11-17
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L29/735 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/735 , H01L29/0692 , H01L29/6625
摘要： 一种半导体装置及其制造方法，其所要解决的问题是在以往的半导体装置中，由于集电极区域形成得宽，故难以缩小设备尺寸。本发明的半导体装置中，在P型单晶硅基板(2)上层叠N型外延层(4)。在外延层(4)上形成作为基极引出区域的N型扩散层(5)、作为发射极区域的P型扩散层(6、7)、作为集电极区域的P型扩散层(8、9)。发射极区域在其深向部位具有比其表面附近的扩散宽度宽的区域，横型PNP晶体管(1)在外延层(4)深向部位形成最小基极宽度。根据该构造，在缩小集电极区域的情况下也能够得到希望的hfe值。并且，可缩小设备尺寸。
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公开(公告)号：CN1309080C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410082521.2
申请日：2004-09-20
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L21/8224 , H01L27/0821 , H01L29/7322
摘要： 在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的第一以及第二岛区(7、8)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区(27)。而且，N型的埋入扩散区(27)与被施加了电源电位的N型的扩散区(25、26)连结。由此，在构成小信号部(2)的区域(7、8)中，由被施加了电源电位的N型的埋入扩散区(27)来区分衬底(4)和外延层(5)。其结果，可防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，可以防止小信号部(2)的误动作。
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公开(公告)号：CN100454545C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610127037.6
申请日：2006-09-21
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/761 , H01L21/822
CPC分类号： H01L21/761 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/456 , H01L29/7816 , H01L29/7833
摘要： 提供一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，由于向构成隔离区域的P型的扩散层的横方向的扩散变宽，有难以缩小设备大小的问题。在本发明的半导体装置中，在P型的单晶硅基板(6)上形成有N型的外延层(8)。基板(6)及外延层(8)由隔离区域(3)划分为多个元件形成区域。连结P型的埋入扩散层(47)和P型的扩散层(48)而形成隔离区域(3)。而且，P型的埋入扩散层(47)与N型的埋入扩散层(7、30)形成PN结。另一方面，P型的扩散层(48)与N型的扩散层(19、40)形成PN结。通过该结构，P型的埋入扩散层(47)及P型扩散层(48)，能够抑制横方向的扩散变宽，缩小设备大小。
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公开(公告)号：CN100454543C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200610007006.7
申请日：2006-02-14
申请人： 三洋电机株式会社
摘要： 一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在为保护元件不受过电压影响而设置的N型扩散区域窄，击穿电流集中，保护用PN接合区域被破坏的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)和外延层(3)上形成有N型埋入扩散层(4)。P型埋入扩散层(5)形成在N型埋入扩散层(4)上面的宽的区域，且形成有过电压保护用的PN接合区域(16)。P型扩散层(6)与P型埋入扩散层(5)连接形成。PN接合区域16的击穿电压比源-漏极间的击穿电压低。根据该结构，可防止击穿电流的集中，且可保护半导体装置不受过电压影响。
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公开(公告)号：CN1305138C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410082581.4
申请日：2004-09-21
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0826 , H01L21/8224 , H01L27/0821
摘要： 本发明提供一种半导体集成电路装置。在本发明的半导体集成电路装置(1)中，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，在衬底(4)和外延层(5)之间形成N型的埋入扩散区域(29)。由此，在构成小信号部(2)的岛区域(8、9)中，实际上，在施加电源电位的N型的埋入扩散区域(29)中区分衬底(4)和第一外延层(5)。其结果，可以防止由于电机的反电动势而从功率NPN晶体管(3)产生的自由载流子(电子)流入小信号部(2)，并防止小信号部(2)的误动作。
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公开(公告)号：CN1828897A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610007006.7
申请日：2006-02-14
申请人： 三洋电机株式会社
摘要： 一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在为保护元件不受过电压影响而设置的N型扩散区域窄，击穿电流集中，保护用PN接合区域被破坏的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)和外延层(3)上形成有N型埋入扩散层(4)。P型埋入扩散层(5)形成在N型埋入扩散层(4)上面的宽的区域，且形成有过电压保护用的PN接合区域(16)。P型扩散层(6)与P型埋入扩散层(5)连接形成。PN接合区域16的击穿电压比源－漏极间的击穿电压低。根据该结构，可防止击穿电流的集中，且可保护半导体装置不受过电压影响。
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公开(公告)号：CN100479163C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610004122.3
申请日：2006-02-21
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H01L29/7322 , H01L21/761 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/0821 , H01L29/1008 , H01L29/1083 , H01L29/42368 , H01L29/6625 , H01L29/66272 , H01L29/66659 , H01L29/735 , H01L29/7835
摘要： 一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在为保护元件不受过电压影响而设置的N型扩散区域窄，击穿电流集中，保护用PN结区域被破坏的问题。在本发明的半导体装置中，在衬底(2)和外延层(3)上形成有P型埋入扩散层(4)。N型埋入扩散层(5)与P型埋入扩散层(4)重叠形成，且在元件形成区域的下方形成有过电压保护用的PN结区域(19)。PN结区域(19)的击穿电压比源-漏极间的击穿电压低。根据该结构，可防止击穿电流集中在PN结区域(19)，且可由过电压保护半导体元件。
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