Invention Grant
CN100456518C 有机薄膜晶体管及其制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 有机薄膜晶体管及其制备方法
- Patent Title (English): Organic thin film transistors with modified surface of gate-dielectric
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Application No.: CN03805321.7Application Date: 2003-02-11
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Publication No.: CN100456518CPublication Date: 2009-01-28
- Inventor: 特伦斯·P·史密斯 , 拉里·D·伯德曼 , 蒂莫西·D·邓巴 , 马克·J·佩勒瑞特 , 汤米·W·凯利 , 道恩·V·梅耶斯 , 丹尼斯·E·沃格尔 , 基姆·M·沃格尔
- Applicant: 3M创新有限公司
- Applicant Address: 美国明尼苏达州
- Assignee: 3M创新有限公司
- Current Assignee: 3M创新有限公司
- Current Assignee Address: 美国明尼苏达州
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 樊卫民; 郭国清
- Priority: 10/094,007 2002.03.07 US
- International Application: PCT/US2003/003905 2003.02.11
- International Announcement: WO2003/077327 EN 2003.09.18
- Date entered country: 2004-09-06
- Main IPC: H01L51/40
- IPC: H01L51/40 ; H01L51/30
Abstract:
本发明提供了一种有机薄膜晶体管，该晶体管包括插入在栅电介质和有机半导体层之间的自组装单层。单层为栅电介质与自组装单层母体反应的产物。半导体层包括选自被至少一个给电子基团、卤原子或它们的组合取代的并苯，或任选地被至少一个给电子基团、卤原子或它们的组合取代的苯并-稠合的并苯或聚苯并-稠合的并苯中的材料。本发明还提供了制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的集成电路。
Public/Granted literature
- CN1639884A 具有改进的栅电介质表面的有机薄膜晶体管 Public/Granted day:2005-07-13
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