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公开(公告)号：CN102124015A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980128699.7
申请日：2009-05-29
CPC classification number: C07F7/081 , H01L51/0055 , H01L51/0094 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了甲硅烷基乙炔基并五苯和含有甲硅烷基乙炔基并五苯的组合物。示例性的并五苯化合物具有6，13-甲硅烷基乙炔基取代基，且一个或多个基团(例如R，R′和R″)共价连接至甲硅烷基乙炔基的每个Si原子。本发明也公开了制备和使用甲硅烷基乙炔基并五苯和含有甲硅烷基乙炔基并五苯的组合物的方法。本发明也公开了包含甲硅烷基乙炔基并五苯和组合物的基材和器件。
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公开(公告)号：CN100456518C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN03805321.7
申请日：2003-02-11
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: H01L51/0529 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01B3/18 , H01L51/0003 , H01L51/0055 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , Y10S428/901
Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜晶体管，该晶体管包括插入在栅电介质和有机半导体层之间的自组装单层。单层为栅电介质与自组装单层母体反应的产物。半导体层包括选自被至少一个给电子基团、卤原子或它们的组合取代的并苯，或任选地被至少一个给电子基团、卤原子或它们的组合取代的苯并-稠合的并苯或聚苯并-稠合的并苯中的材料。本发明还提供了制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的集成电路。
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公开(公告)号：CN101410434B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200780010709.8
申请日：2007-03-19
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 朱培旺 , 李子成 , 丹尼斯·E·沃格尔 , 克里斯托弗·P·格拉赫
CPC classification number: C09K11/06 , C08G61/126 , C08G2261/314 , C08G2261/3223 , C08G2261/512 , C08G2261/91 , C08G2261/92 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0508 , H05B33/14 , Y02E10/549
Abstract: 本公开描述了包括并苯-噻吩共聚物的电子器件以及制造这类电子器件的方法。所述并苯-噻吩共聚物可以用在(例如)半导体层中或者用在设置于第一电极和第二电极之间的层中。
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公开(公告)号：CN102217109A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980145708.3
申请日：2009-11-03
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 斯科特·M·施诺布利希 , 罗伯特·S·克拉夫 , 丹尼斯·E·沃格尔 , 迈克尔·E·格里芬
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0558 , H01L51/0005
Abstract: 本发明提供了一种制备诸如晶体管之类薄膜半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：a)提供具有第一导电区和第二导电区(10，20)的基材(60)，其中所述第一导电区和所述第二导电区限定了两者间的沟道(50)，并且其中所述沟道(50)不与大于75％的任一导电区(10，20)的周边；以及b)在所述沟道(50)附近或上面沉积包含有机半导体的溶液(40)的不连续等分试样，其中大部分所述溶液沉积在所述沟道(50)一侧且不在所述沟道(50)上。在本发明的一些实施例中，所述溶液完全沉积到所述沟道(50)的一侧，并且不在所述沟道(50)上，此外，所述溶液沉积到具有小于所述沟道长度的长度的带内。本发明另外提供了诸如晶体管之类的薄膜半导体器件。
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公开(公告)号：CN101415745A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012145.1
申请日：2007-03-27
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 朱培旺 , 李子成 , 丹尼斯·E·沃格尔 , 克里斯托弗·P·格拉赫
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1424 , C08G2261/314 , C08G2261/3223 , H01L51/0037
Abstract: 本发明提供了可用于电子器件的并苯－噻吩共聚物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1832683A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022326.9
申请日：2004-07-29
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 哈桑·萨瓦尼 , 罗伯特·A·舍雷尔 , 金·M·沃格尔 , 丹尼斯·E·沃格尔 , 史蒂芬·W·斯泰因 , 布赖恩·J·加布里奥 , 斯特丹妮·F·贝尔纳特谢兹 , 理查德·H·费伯 , 邹伟
Abstract: 本发明包括用于封装和控制释放客体分子(如药物)的组合物和方法。本发明的组合物包括基质，该基质包括由多价阳离子非共价交联的分子，其中该非共价交联的分子是非聚合的，具有多于一个羧基官能团，并具有至少部分芳香或杂芳香特性。该组合物的特征在于客体分子可以封装在该基质内，并且随后可释放。
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公开(公告)号：CN101137693B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200680007702.6
申请日：2006-02-23
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 克里斯托弗·P·格拉赫 , 戴维·A·恩代尔 , 丹尼斯·E·沃格尔
IPC: C08G61/12 , C07D333/28 , C07D333/22 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0068 , B82Y30/00 , H01L51/0036 , H01L51/0529 , H01L51/0545
Abstract: 本发明描述了半导体器件，其包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω-双-全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体层。此外，描述了制造半导体器件的方法，包括沉积包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω-双(2-全氟醚酰基)低聚噻吩化合物的半导体层。
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公开(公告)号：CN101415745B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780012145.1
申请日：2007-03-27
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 朱培旺 , 李子成 , 丹尼斯·E·沃格尔 , 克里斯托弗·P·格拉赫
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1424 , C08G2261/314 , C08G2261/3223 , H01L51/0037
Abstract: 本发明提供了可用于电子器件的并苯-噻吩共聚物。
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公开(公告)号：CN1639884A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805321.7
申请日：2003-02-11
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: H01L51/0529 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01B3/18 , H01L51/0003 , H01L51/0055 , H01L51/0516 , H01L51/0545 , Y10S428/901
Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜晶体管，该晶体管包括插入在栅电介质和有机半导体层之间的自组装单层。单层为栅电介质与自组装单层母体反应的产物。半导体层包括选自被至少一个给电子基团、卤原子或它们的组合取代的并苯，或任选地被至少一个给电子基团、卤原子或它们的组合取代的苯并－稠合的并苯或聚苯并－稠合的并苯中的材料。本发明还提供了制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的集成电路。
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