Invention Grant
CN100459150C 弹道半导体元件
失效 - 权利终止
- Patent Title: 弹道半导体元件
- Patent Title (English): Ballistic semiconductor device
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Application No.: CN200480001374.XApplication Date: 2004-04-14
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Publication No.: CN100459150CPublication Date: 2009-02-04
- Inventor: 大塚信之 , 水野纮一 , 吉井重雄 , 铃木朝实良
- Applicant: 松下电器产业株式会社
- Applicant Address: 日本大阪
- Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee: 松下电器产业株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪
- Agency: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- Agent 龙淳
- Priority: 110097/2003 2003.04.15 JP
- International Application: PCT/JP2004/005282 2004.04.14
- International Announcement: WO2004/093199 JA 2004.10.28
- Date entered country: 2005-05-25
- Main IPC: H01L29/68
- IPC: H01L29/68 ; H01L29/70
Abstract:
本发明的弹道半导体元件具有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
Public/Granted literature
- CN1706047A 弹道半导体元件 Public/Granted day:2005-12-07
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IPC分类:
