发明授权
CN100474517C Ti膜及TiN膜的成膜方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: Ti膜及TiN膜的成膜方法
- 专利标题(英): Ti film method for forming the same
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申请号: CN200580000473.0申请日: 2005-04-08
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公开(公告)号: CN100474517C公开(公告)日: 2009-04-01
- 发明人: 多田国弘 , 成嶋健索 , 若林哲
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 115960/2004 2004.04.09 JP
- 国际申请: PCT/JP2005/006947 2005.04.08
- 国际公布: WO2005/098913 JA 2005.10.20
- 进入国家日期: 2005-12-30
- 主分类号: H01L21/28
- IPC分类号: H01L21/28 ; C23C16/14 ; C23C16/34 ; H01L21/285 ; H01L21/768
摘要:
本发明中,将衬底的硅化镍膜表面清洁化后,由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜,氮化该Ti膜,再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。
公开/授权文献
- CN1806315A Ti膜及TiN膜的成膜方法、接触结构、计算机能够读取的存储介质以及计算机程序 公开/授权日:2006-07-19