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公开(公告)号：CN118326330B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410757399.1
申请日：2024-06-13
申请人： 天水天光半导体有限责任公司
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/16 , C23C14/35 , H01L21/285 , H01L29/45
摘要： 本发明公开了一种半导体金属层的制备方法及其应用，属于半导体技术领域。该制备方法包括：将硅片进行清洗和干燥，采用磁控溅射方式于干燥后的硅片表面依次制备铂层、钼层和硅铝层；硅铝层中含有的硅与铝的质量比大于0.8:100且小于1.2:100。通过在金属铝层中增加部分硅以形成硅铝层，一方面能够有效防止金属铝与硅片中的硅互溶，另一方能够防止形成结尖刺破坏器件。并且，本发明提供的方法在铂层和硅铝层之间设置钼层，既能起到阻挡层的作用，同时也能形成电接触界面。该方法能够用于改善金属铝层与硅片粘附性，也可用于改善半导体结尖刺的产生，具有通过该方法得到的金属层的半导体器件具有较高的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN118431089A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410430224.X
申请日：2024-04-10
申请人： 睿电(广东)生物科技有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/78 , H01L21/285 , H01L21/335 , H01L25/07 , H01L23/49 , G01N27/414
摘要： 本发明提供了一种AlGaN/GaN HEMT及nGaN器件分体式传感器制备方法；包括：步骤1，AlGaN/GaN HEMT器件的制备；步骤2，nGaN器件的制备；步骤3，AlGaN/GaN HEMT及nGaN器件分体式传感器的制备。本发明通过KOH溶液中的光电化学刻蚀技术，改变了nGaN器件的表面形貌，增大了比表面积，使其表现出显著的5‑羟色胺传感性能，并为特异性探针的固定提供了更多的附着位点；本发明通过在分体式器件表面旋涂四氢呋喃，喷涂C3N4并加热固定，C3N4作为5‑羟色胺适配体探针的有效锚定位点，大幅提高了分体式传感器的检测灵敏度和特异性；本发明在环境痕量污染物监测、阿兹海默症标志物早筛和抑郁症标志物早筛等领域具有广泛的应用潜力和拓展空间。
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公开(公告)号：CN118326330A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410757399.1
申请日：2024-06-13
申请人： 天水天光半导体有限责任公司
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/16 , C23C14/35 , H01L21/285 , H01L29/45
摘要： 本发明公开了一种半导体金属层的制备方法及其应用，属于半导体技术领域。该制备方法包括：将硅片进行清洗和干燥，采用磁控溅射方式于干燥后的硅片表面依次制备铂层、钼层和硅铝层；硅铝层中含有的硅与铝的质量比大于0.8:100且小于1.2:100。通过在金属铝层中增加部分硅以形成硅铝层，一方面能够有效防止金属铝与硅片中的硅互溶，另一方能够防止形成结尖刺破坏器件。并且，本发明提供的方法在铂层和硅铝层之间设置钼层，既能起到阻挡层的作用，同时也能形成电接触界面。该方法能够用于改善金属铝层与硅片粘附性，也可用于改善半导体结尖刺的产生，具有通过该方法得到的金属层的半导体器件具有较高的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN118315413A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410388502.X
申请日：2024-04-01
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种基于再生长稳定离子注入电流孔径的垂直结构Ga2O3场效应晶体管，主要解决现有垂直型氧化镓场效应晶体管功率性能差和良品率低的问题。其自下而上包括、氧化镓衬底层、氧化镓外延层和栅氧化层，该栅氧化层的两侧设有源电极，上方设有栅电极，该氧化镓衬底层下表面为漏电极，该外延层与栅氧化层之间设有氧化镓再生层，以实现更优的欧姆接触；该氧化镓再生层的掺杂浓度为1×1016‑6×1018cm‑3，且下部两端的外延层内设有高阻离子层，以实现有效的源漏间电学隔离。本发明在提高器件水平沟道耐压和可靠性的同时，减小了离子注入对晶格的损伤，改善了欧姆接触，降低了器件的工艺难度，可用于大功率集成电路的制备。
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公开(公告)号：CN118248536A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410251005.5
申请日：2024-03-05
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/027 , H01L21/285
摘要： 本发明提供一种沟槽功率器件的制备方法，包括步骤一、提供衬底，在衬底内至少形成一沟槽；采用炉管工艺在沟槽中生长一层薄氧；采用炉管工艺淀积多晶硅填满沟槽；对多晶硅表面进行清洗处理，并在多晶硅表面涂布光刻胶；调整刻蚀参数，对多晶硅和光刻胶进行等比例刻蚀，以在沟槽中形成具有平整形貌的栅极；利用湿法清洗工艺去除刻蚀后的杂质。本发明利用光刻胶台阶覆盖能力，栅极采用多晶硅结合光刻胶共同刻蚀的方式形成，避免了原有栅极多晶硅回刻后凹字形牛角形貌的产生，达到了改变电场分布，改善IGSSR(栅极反向漏电)的目的。
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公开(公告)号：CN114122124B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202111229854.3
申请日：2021-10-21
申请人： 汕头大学
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/40 , H01L21/285
摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种欧姆电极及其制备方法和应用。该欧姆电极包括p型宽禁带半导体和设于p型宽禁带半导体表面的Cu2‑xS膜层，x的取值为0‑0.25。本发明欧姆电极包括p型宽禁带半导体和设于p型宽禁带半导体表面的Cu2‑xS膜层，能够实现良好的欧姆接触，欧姆接触性能达到与贵金属材料金结合p型宽禁带半导体的欧姆接触性能相近，且使用的Cu2‑xS相比贵金属材料金的成本更加低廉，大幅度降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN118231234A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410363656.3
申请日：2024-03-27
申请人： 上海积塔半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285
摘要： 本发明提供一种改善金属硅化物缺陷的方法，包括：提供硅衬底，硅衬底上形成有栅硅层以及覆盖栅硅层的SAB层，SAB层中形成有显露栅硅层顶面以及预设位置硅衬底表面的开口；形成覆盖SAB层的镍金属层，且镍金属层延伸入开口中，一部分镍金属层与栅硅层的顶面接触，一部分镍金属层与预设位置的硅衬底接触；进行第一次退火，镍金属层与栅硅层接触的区域形成镍硅化合物，镍金属层与硅衬底接触的区域形成镍硅化合物；形成覆盖镍硅化合物的硅层，并进行第二次退火。本发明中进行第一次退火后，于Ni2Si化合物上形成硅层，在第二次退火的过程中部分Ni向硅层扩散运动，可以减小Ni向沟道扩散的风险，改善金属硅化物刺穿缺陷，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN112005380B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980024279.8
申请日：2019-04-05
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/732 , H01L21/324 , H01L21/285
摘要： 论述了保形地掺杂三维结构的方法。一些实施例利用沉积在结构上的保形硅膜。在沉积后对硅膜进行掺杂以包含卤素原子。随后对结构进行退火以用来自掺杂的硅膜的卤素原子掺杂该结构。
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公开(公告)号：CN118116865A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211480558.5
申请日：2022-11-24
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 任兴润
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有第一掺杂区；于所述第一掺杂区内形成沟槽结构，所述沟槽结构的深度小于所述第一掺杂区的厚度；采用第一预设沉积工艺于所述沟槽结构内形成第一金属层，所述第一金属层的顶面低于所述衬底的顶面；采用第二预设沉积工艺于所述沟槽结构内形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述沟槽结构裸露的侧壁，所述第一金属层及所述第二金属层构成目标金属层。上述方法能够克服PVD工艺中台阶覆盖能力差的问题，改善目标金属层的厚度均一性，降低欧姆接触电阻以提高半导体器件的良率。
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