发明授权
CN100505974C 辐射源、光刻设备和器件制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 辐射源、光刻设备和器件制造方法
- 专利标题（英）： Radiation source, photoetching equipment and device manufacturing method
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申请号： CN03164931.9申请日： 2003-09-30
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公开(公告)号： CN100505974C公开(公告)日： 2009-06-24
- 发明人: G·G·祖卡维斯维里 , V·V·艾瓦诺夫 , K·N·科谢勒夫 , E·D·科罗布 , V·Y·班尼 , P·S·安特斯菲罗夫
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维尔德霍芬
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维尔德霍芬
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王波波
- 优先权： 02256907.3 2002.10.03 EP
- 主分类号： H05H1/24
- IPC分类号： H05H1/24 ; G03F7/20 ; H01L21/027
摘要：
一种包括阳极和阴极的辐射源，所述阳极和阴极被配置和排列为在所述阳极和阴极之间的物质中产生放电形成等离子体从而产生电磁辐射。所述流体包括氙、铟、锂、锡或任何适合的材料。辐射源单元设置为具有低感应系数，并运行于等离子体最小的状态来提高转换效率。在辐射源体积和芯捻内设有流体循环系统，应用流体的气态和液态转换来提高热耗散。辐射源单元设置得产生最小量的污染物，并在不干扰出射辐射的情况下捕获污染物来防止污染物进入光刻投影装置。
公开/授权文献
- CN1498056A 辐射源、光刻设备和器件制造方法 公开/授权日：2004-05-19
IPC分类:
