Invention Grant
CN100514591C 半导体封装的制造方法及所制成的封装
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体封装的制造方法及所制成的封装
- Patent Title (English): A method of manufacturing semiconductor packages and packages made
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Application No.: CN200680006473.6Application Date: 2006-02-27
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Publication No.: CN100514591CPublication Date: 2009-07-15
- Inventor: N·J·A·范费恩 , R·德克尔 , C·C·塔克
- Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
- Applicant Address: 荷兰艾恩德霍芬
- Assignee: 皇家飞利浦电子股份有限公司
- Current Assignee: 皇家飞利浦电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 荷兰艾恩德霍芬
- Agency: 永新专利商标代理有限公司
- Agent 王英
- Priority: 05101593.1 2005.03.02 EP
- International Application: PCT/IB2006/050599 2006.02.27
- International Announcement: WO2006/092754 EN 2006.09.08
- Date entered country: 2007-08-30
- Main IPC: H01L21/60
- IPC: H01L21/60 ; H01L23/498 ; H01L23/538

Abstract:
挠性封装(100)在第一面(1)和第二面(2)之间具有半导体器件(20),该半导体器件具有减薄的背部基板(10)和互连结构。在封装(100)的第一面(2)上存在用于外部接触的接触装置(31、33)和第一树脂层(52),该接触装置(31、33)耦合到互连结构。在第二面(2)半导体器件(20)至少基本上覆盖有第二树脂层(12)。接触装置(31、33)存在于第一树脂层(52)上,并利用延伸通过第一树脂层(52)的重新分布轨线(32、34)耦合到互连结构。钝化层(55)至少基本上覆盖第一树脂层(52)和重新分布轨线(32、34)。
Public/Granted literature
- CN101133484A 半导体封装的制造方法及所制成的封装 Public/Granted day:2008-02-27
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IPC分类: