发明授权
CN100519828C 一种真空镀膜方法和设备
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种真空镀膜方法和设备
- 专利标题(英): Vacuum film plating method and apparatus
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申请号: CN200510066504.4申请日: 2005-04-27
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公开(公告)号: CN100519828C公开(公告)日: 2009-07-29
- 发明人: 刘阳
- 申请人: 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
- 申请人地址: 北京市丰台区科学城邮局4分箱
- 专利权人: 北京实力源科技开发有限责任公司,刘阳
- 当前专利权人: 北京实力源科技开发有限责任公司,刘阳
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区科学城邮局4分箱
- 代理机构: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司
- 代理商 丛芳; 廖立全
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/24 ; C23C14/06
摘要:
本发明属于物理气相沉积技术领域,特别属于磁控溅射和电弧离子源真空镀膜技术方法和设备。其特征在于以两种或以上的不同金属为靶材,同时采用电弧和磁控溅射两种模式发射,其中至少一种靶材采用定向发射的细长形(圆柱或矩形)工业电弧离子源蒸发;在工件上施加幅值为50至1000V偏压;工件在转动过程中,依次经过不同材质的靶前,在惰性气氛中沉积出合金膜层,在反应气氛中沉积出合金的化合物膜层。一种新的真空镀膜方法,将一种新的工业电弧离子源与磁控溅射离子镀的电磁场相结合,并以低成本减少减小了电弧雾滴和基本保持了其高的离化率;利用纳米尺寸效应促进合化学反应,真空沉积出两种及以上金属纳米合金薄膜及其与非金属的化合物薄膜。
公开/授权文献
- CN1854333A 一种新的真空镀膜方法和设备 公开/授权日:2006-11-01
IPC分类: