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公开(公告)号：CN101298392B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200710103673.X
申请日：2007-04-30
申请人： 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
发明人： 刘阳
摘要： 本发明公开了一种可用于消费电子产品和/或金属外壳的装饰防护涂层，涂层颜色为黑色，该涂层主要由硅-碳-氮三组元或钛-硅-碳-氮四组元构成，原子百分比分别为：硅35％-43％，碳20％-27％，氮45％-30％或钛15％-27％，硅40％-30％，碳25％-13％，氮20％-30％；涂层厚度为1.0-8.0μm；厚度2.0μm以上涂层显微硬度HV0.020大于等于30Gpa。合成该涂层可采用低压气相沉积方法，采用溅射或电弧离子镀获得相应比例的组分，利用质量流量计调节反应气体的流量控制氮和/或碳的相对含量以获得硅-碳-氮或钛-硅-碳-氮涂层的黑色，以控制所述涂层的颜色及其性能。该涂层硬度高，抗色变能力强，具有很好的装饰防护功能。
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公开(公告)号：CN101179000A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200610138234.8
申请日：2006-11-08
申请人： 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
发明人： 刘阳
摘要： 本发明公开了一种等离子源，包括螺旋管、阴极与阳极，其中螺旋管两端分别与阴极和阳极相连通，螺旋管为空心导体管制成，该中空导体螺旋管的内部通水冷却，其外表面被绝缘；在阳极、螺旋管和阴级之间设置直流电源，直流电源正极连通阳极，直流电源负极连通阴极。本发明等离源具有单端连接电源、大幅度自强化等离子体、等离子体纯净、电极中空轻便、螺旋管可直可弯、直径和长度的调节范围大和布局灵活等突出的特点。本发明等离子源可以在蒸发方式和低压气相沉积中应用。
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公开(公告)号：CN100519828C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510066504.4
申请日：2005-04-27
申请人： 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
发明人： 刘阳
摘要： 本发明属于物理气相沉积技术领域，特别属于磁控溅射和电弧离子源真空镀膜技术方法和设备。其特征在于以两种或以上的不同金属为靶材，同时采用电弧和磁控溅射两种模式发射，其中至少一种靶材采用定向发射的细长形(圆柱或矩形)工业电弧离子源蒸发；在工件上施加幅值为50至1000V偏压；工件在转动过程中，依次经过不同材质的靶前，在惰性气氛中沉积出合金膜层，在反应气氛中沉积出合金的化合物膜层。一种新的真空镀膜方法，将一种新的工业电弧离子源与磁控溅射离子镀的电磁场相结合，并以低成本减少减小了电弧雾滴和基本保持了其高的离化率；利用纳米尺寸效应促进合化学反应，真空沉积出两种及以上金属纳米合金薄膜及其与非金属的化合物薄膜。
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公开(公告)号：CN101280428A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710090710.8
申请日：2007-04-04
申请人： 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
发明人： 刘阳
IPC分类号： C23C28/02
摘要： 本发明公开了一种可用于消费电子产品的金属外壳的装饰防护涂层，涂层颜色为金属亮白色，该涂层主要由铬－铝－氮三组元构成，原子百分比分别为：铬80％－50％，铝5％－20％，氮15％－30％；涂层厚度为1.0－8.0μm；厚度2.0μm以上涂层显微硬度HV0.020大于等于30Gpa。合成该涂层可以采用低压气相沉积过程，采用溅射或电弧离子镀获得相应比例的金属组分，控制氮的相对含量以获得铬－铝－氮涂层的金属亮白色。氮的相对含量可通过调节铬靶和/或铝靶的电源功率或通过质量流量计调节氮气流量来调节，以控制所述的铬－铝－氮膜层的颜色及其性能。
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公开(公告)号：CN101139699A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710120019.X
申请日：2007-08-07
申请人： 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
发明人： 刘阳
CPC分类号： C23C14/56
摘要： 本发明总体采用组合式多真空仓结构，其中至少包括2个或2个以上的真空仓，各仓至少具有镀膜或辅助处理中的一种功能，所述的各镀膜仓中至少有一个仓中能使工件沿环形轨道连续运行多圈以便于镀厚膜，各辅助处理仓可以实现镀膜之外的各种辅助处理；相邻真空仓之间通过自动真空闸门连接，能实现仓间流程控制和实时分配各单元的工作时间和舱位；采用一种柔性输送带在真空条件下沿导轨运行，能自动交换或输送工件，以保证实施节拍式连续化或自动连续化的大批量的镀膜生产线的需要。
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公开(公告)号：CN1854333A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510066504.4
申请日：2005-04-27
申请人： 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
发明人： 刘阳
摘要： 本发明属于物理气相沉积技术领域，特别属于磁控溅射和电弧离子源真空镀膜技术方法和设备。其特征在于以两种或以上的不同金属为靶材，同时采用电弧和磁控溅射两种模式发射，其中至少一种靶材采用定向发射的细长形(圆柱或矩形)工业电弧离子源蒸发；在工件上施加幅值为50至1000V偏压；工件在转动过程中，依次经过不同材质的靶前，在惰性气氛中沉积出合金膜层，在反应气氛中沉积出合金的化合物膜层。一种新的真空镀膜方法，将一种新的工业电弧离子源与磁控溅射离子镀的电磁场相结合，并以低成本减少减小了电弧雾滴和基本保持了其高的离化率；利用纳米尺寸效应促进合化学反应，真空沉积出两种及以上金属纳米合金薄膜及其与非金属的化合物薄膜。
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公开(公告)号：CN1844448A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200510063432.8
申请日：2005-04-08
申请人： 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
发明人： 刘阳
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/564 , H01J37/32862 , H01J37/3405
摘要： 本发明提出一种具有在线清洗功能和预防离子刻蚀清洗过程污染的磁控溅射靶及其应用方法。其磁控溅射靶的靶材可绕其中心轴线旋转，通过内部磁场控制，形成两组溅射跑道，并且，在局部空间中设置清洗阳极和布气装置，充入惰性气体，主溅射电源连接于靶材与镀膜机主阳极之间，进行溅射镀膜，辅助清洗电源连接于靶材与局部空间内的清洗阳极之间，对靶材表面溅射刻蚀清洗。由于靶材连续旋转而两组溅射跑道的相对方位不变，从而达到对整个靶面的连续在线清洗，从而保持靶面的溅射工作状态稳定，提高了化合物薄膜在工件上的沉积速率，基本保持了工艺重现性；本发明还便于对靶材进行离子刻蚀清洗，防止了工件表面污染和靶材之间的交叉污染。
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公开(公告)号：CN1970830B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200610145988.6
申请日：2006-11-30
申请人： 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
发明人： 刘阳
IPC分类号： C23C14/56
摘要： 本发明公开了一种柔性输送装置及其在连续真空镀膜中的使用设备。输送装置包括动力驱动系统、导轨和输送带，所述的导轨在真空镀膜设备的镀膜仓中是圆弧或环状形状；导轨是一种空腔设计，输送带在宽度方向上的一部分进入导轨内部，输送带外露在开口下方的另一部分用于携带工件，输送带在宽度方向保持刚性，在厚度方向上显示出柔性。本发明的输送装置可以用于立式或卧式、单层或多层，或者两个及两个以上不同功能的回转仓或直线仓的多仓不同组合形成连续生产线等多种真空镀膜设备。本发明的输送装置可以实现输送带及工件在真空镀膜设备中的交替转换，可以实现批量产品节拍式、连续化的生产，获得品质、色泽的一致性；同时生产效率高，生产成本降低。
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公开(公告)号：CN101179000B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200610138234.8
申请日：2006-11-08
申请人： 北京实力源科技开发有限责任公司 , 刘阳
发明人： 刘阳
摘要： 本发明公开了一种等离子源，包括螺旋管、阴极与阳极，其中螺旋管两端分别与阴极和阳极相连通，螺旋管为空心导体管制成，该中空导体螺旋管的内部通水冷却，其外表面被绝缘；在阳极、螺旋管和阴级之间设置直流电源，直流电源正极连通阳极，直流电源负极连通阴极。本发明等离源具有单端连接电源、大幅度自强化等离子体、等离子体纯净、电极中空轻便、螺旋管可直可弯、直径和长度的调节范围大和布局灵活等突出的特点。本发明等离子源可以在蒸发方式和低压气相沉积中应用。
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