- 专利标题： 宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管
- 专利标题（英）： Method for producing wide-spectral band wide super-radiation light-emitting diode and diode thereof
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申请号： CN03128019.6申请日： 2003-05-23
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公开(公告)号： CN100521259C公开(公告)日： 2009-07-29
- 发明人: 江山 , 王定理 , 张军 , 刘应军
- 申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号光迅科技开发管理部
- 专利权人： 武汉光迅科技股份有限公司
- 当前专利权人： 武汉光迅科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号光迅科技开发管理部
- 代理机构： 武汉开元知识产权代理有限公司
- 代理商 刘志菊
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01S5/00
摘要：
本发明为宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管，其有源区由两段或两段以上组成，采用选择区域外延生长方法制作，具有呈梯度分布的带隙结构。沿发光管某一出光方向，离出光端面远的有源区发光波长大于靠近端面的发光波长，沿此方向传输的光能透明地传输，因此发光二极管在这一方向上的发光光谱谱宽为沿此方向的多段有源区光谱谱宽的叠加，从而达到增加发光二极管的光谱带宽的目的；同时沿与此出光端面相反方向传输的光被吸收。
公开/授权文献
- CN1549354A 宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管 公开/授权日：2004-11-24