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公开(公告)号：CN117013365A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310828044.2
申请日：2023-07-06
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及通信技术领域，提供了一种半导体光放大器及其制作方法。其中所述半导体放大器包括衬底和对生长在衬底上的外延结构刻蚀形成的台面结构；所述台面结构被划分为至少一个无光区域和至少一个发光区域；所述发光区域的台面上方生长有电流导通结构，用于导通电流到达所述台面结构；所述无光区域上方生长有第一电流阻挡结构，用于阻挡上层的电流到达所述台面结构。本发明使输出的最大功率阈值增高，从而实现工作寿命增加。且通过无光区域不发光还减少了芯片的整体发热，增加了传热途径，提高了传热效果，进而芯片的可靠性进一步提高。
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公开(公告)号：CN113644550B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202110760597.X
申请日：2021-07-06
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种半导体发光器件及其制造方法，其中，所述半导体发光器件包括：下包层；位于所述下包层上的有源层；位于所述有源层上的上包层；以及，位于所述上包层上的欧姆接触层；其中，所述欧姆接触层至少覆盖所述上包层表面中的第一区域，且未覆盖全部的所述上包层表面；所述第一区域为电流注入窗口在所述上包层表面的投影所在的区域。
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公开(公告)号：CN105158849B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510703267.1
申请日：2015-10-26
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件，本发明方法在x切铌酸锂基片上表面和下表面制作有增透作用的介质膜；在介质膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩模窗口；在掩模窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导；制作调制电极；对铌酸锂基片的光输入端面和光输出端面进行切割，在光输入端面和光输出端面分别制作有增透作用的介质膜；采用本发明的方法，能显著提高铌酸锂光波导芯片的偏振消光比，改善芯片的光学特性。
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公开(公告)号：CN100521258C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN03128018.8
申请日：2003-05-23
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明为一种超辐射发光二极管的制作方法及其发光二极管，其有源区由多段组成，采用相同的材料组分，其中一段或几段有源区通过无杂质参与空位扩散量子阱混合效应产生发光波长偏移。超辐射发光二极管的不同有源区段采用同一电极，同时发光。但沿有源区某一出光方向，离出光端面远的有源区发光波长大于靠近端面的发光波长，沿此方向传输的光能透明地传输，因此在这一方向上的发光光谱谱宽为沿此方向的多段有源区光谱谱宽的叠加，从而达到增加发光二极管的光谱带宽的目的。同时沿与此出光端面相反方向传输的光被吸收，从而有效地降低了发光二极管的光谱调制深度。
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公开(公告)号：CN101033990A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710051719.8
申请日：2007-03-22
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种光纤光栅温度电流传感器，属于光纤传感器技术领域，其特征在于：它由光纤光栅和交流电流螺线管构成，部分光纤光栅直接裸露在大气环境中，另一部分光纤光栅表面设置有金属导体，金属导体形成闭合回路，并放置于交流电流螺线管内部。由于交变电流在光纤光栅表面闭合的金属导体上产生涡流发热，使这部分光纤光栅周期发生变化，因此光纤光栅具有两个反射峰，分别对应环境温度以及交流电流大小，因而这种光纤光栅传感器可以同时测量温度与电流两个物理参量，具有器件体积小，重量轻，电绝缘性能好，易于安装，不需要外加电源等优点，适合于电力系统中交流电流的测量。
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公开(公告)号：CN115963376A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111172938.8
申请日：2021-10-08
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本申请实施例公开了一种发光芯片及其测试方法。所述方法包括：对发光芯片的发光区施加测试电压；其中，所述发光芯片的发光端面上具有光学膜，所述发光芯片的发光区用于在所述测试电压的作用下向所述光学膜发出第一光信号；所述发光芯片还包括吸收区，所述吸收区用于吸收所述光学膜反射的第二光信号；通过所述吸收区接入的测量电路，检测所述吸收区的电流值；其中，所述电流值与所述光学膜反射的第二光信号具有对应关系。
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公开(公告)号：CN113113519B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110328397.7
申请日：2021-03-26
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本公开实施例公开了一种半导体发光器件及其制作方法。所述半导体发光器件包括：发光结构，位于衬底上；电流阻挡结构，位于所述衬底上，且位于所述发光结构的侧面，包括：交替堆叠设置的多个第一半导体层和多个第二半导体层；和/或，堆叠设置的第一阻挡子结构和第二阻挡子结构，所述第一阻挡子结构包括多个第一半导体层，所述第二阻挡子结构包括多个第二半导体层；所述第一阻挡子结构还包括位于相邻的所述第一半导体层之间的第一氧化层，和/或，所述第二阻挡子结构还包括位于相邻的所述第二半导体层之间的第二氧化层，所述第一氧化层和所述第二氧化层的电阻值大于预设值；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型不同。
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公开(公告)号：CN109830575A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910020690.X
申请日：2019-01-09
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种超辐射发光二极管外延片、外延片制备方法及芯片，其中，所述超辐射发光二极管外延片的制备方法为：在衬底表面依次外延生长多层异质结构；在生长发光层时，调节生长温场沿所述衬底预设的晶向方向梯度变化，使所述发光层的厚度和组分沿所述衬底预设的晶向方向梯度变化。本发明通过调节量子阱层的生长温场沿衬底预设的晶向方向梯度变化，可实现外延片的发光波长的梯度分布，由此得到的芯片沿出光方向为多中心波长叠加，且具有波长连续性，可得到宽的平坦的光谱；同时工艺简单易行、易重复，只需一次外延生长成型，大大提高了产品的成品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN100521259C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN03128019.6
申请日：2003-05-23
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明为宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管，其有源区由两段或两段以上组成，采用选择区域外延生长方法制作，具有呈梯度分布的带隙结构。沿发光管某一出光方向，离出光端面远的有源区发光波长大于靠近端面的发光波长，沿此方向传输的光能透明地传输，因此发光二极管在这一方向上的发光光谱谱宽为沿此方向的多段有源区光谱谱宽的叠加，从而达到增加发光二极管的光谱带宽的目的；同时沿与此出光端面相反方向传输的光被吸收。
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公开(公告)号：CN118554901A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410615642.6
申请日：2024-05-17
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉光迅信息技术有限公司
IPC分类号： H03F3/08 , H03F1/26 , H03G3/30 , H04B10/293
摘要： 本发明涉及通信技术领域，提供了一种低噪声偏振无关半导体光放大器和信号传输系统。放大器包括偏振分束组件、偏振调节组件、放大组件和光路调节组件；偏振分束组件的第一偏振端口、光路调节组件和第二偏振端口依次耦合形成闭环光路；所述放大组件设置在闭环光路上，偏振调节组件设置在第一偏振端口与放大组件之间；偏振分束组件输出偏振方向不同的第一偏振光和第二偏振光；偏振调节组件调节第一偏振光使与第二偏振光偏振方向相同；放大组件对相同偏振方向的光放大得到增益信号。本发明通过设置偏振分束组件和偏振调节组件，使经过放大组件的各光偏振相同，从而能够获得低偏振相关增益，使得信号的饱和输出功率增加，且不劣化增益和噪声指数指标。
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