发明授权

氧化锌系化合物半导体元件
摘要:
本发明提供一种即使形成具有ZnO系化合物半导体层的异质结的叠层部从而形成半导体元件,也不会引起驱动电压的上升,而且使结晶性良好、元件特性优异的氧化锌系化合物半导体元件。在由以A面(11-20)或M面(10-10)作为主面的MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)构成的基板(1)的主面上,与主面平行的面在{11-20}面或{10-10}面上取向、并且与主面垂直的面在{0001}面上取向而外延生长ZnO系化合物半导体单晶层(2~6)。
公开/授权文献
0/0