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公开(公告)号：CN114203805A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111336491.3
申请日：2021-11-12
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L29/225 , H01L29/24 , H01L21/02 , H01S5/32 , H01S5/327 , C30B25/02 , C30B29/46 , C30B29/48
摘要： 本发明公开了一种二维/三维半导体异质结及其普适性制备方法，属于半导体异质结材料制备领域。本发明的半导体异质结例如MoS2/FeS,MoS2/CoS,MoS2/MnS,MoS2/ZnS,Mo(SxSe1‑x)2/ZnSxSe1‑x，Mo(SxSe1‑x)2/CdSxSe1‑x(x代表原子百分比)等。以下用TMDCs代表层状过渡金属硫属化合物MoS2和Mo(SxSe1‑x)2，用XN代表FeS、CoS、MnS、ZnS、ZnSxSe1‑x、CdSxSe1‑x。本发明提供的制备方法为化学气相沉积法，采用Si/SiO2作为衬底，所制备的异质结表面均匀，单晶性好，TMDCs厚度约2nm，XN的厚度为100至200nm。
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公开(公告)号：CN111613968A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010360716.8
申请日：2020-04-30
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种实现ZnO微米线EHP激光的方法，包括如下步骤：步骤1：在ZnO:Ga微米线上溅射Ag准粒子薄膜，并利用焦耳热效应将ZnO:Ga微米线上的Ag准粒子薄膜转变成大尺寸的AgNPs，形成大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构；步骤2：利用激光激发出大尺寸AgNPs包覆ZnO:Ga微米线复合结构的EHP激光。本发明可以有效降低单根微米线光泵浦激射的阈值、实现激光输出的增强；并且随着激发功率的增加，激光峰位产生了显著的红移，并伴随着激射峰模间距展宽。基于大尺寸AgNPs包裹单根ZnO:Ga微米线实现了飞秒激光激发下的EHP激射现象。为后续在AgNPs混合四极子共振增强宽禁带半导体光电器件提供了技术支持与实验依据。
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公开(公告)号：CN109787088A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910004608.4
申请日：2019-01-03
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种宽波段高效紫外光源及其制备方法。本发明通过控制多个顺次排列的多量子阱的厚度或元素组分，精确调控有源区的结构及发光波段，实现宽波段高效紫外光源；激励源采用电子束泵浦激励方式，该结构无需多结欧姆接触层，与传统LED结构相比结构简单，有效提高空穴注入效率；原子层或亚原子层的超薄势阱有效提高辐射复合几率，进而实现在深紫外波段的高光效输出；同时通过调控量子阱的周期数及势阱厚度，优化多量子阱的总厚度，既能保证电子束不会穿透光源的有源区，又能保证有源区的材料质量；采用III-V族或II-VI族半导体材料，实现几乎覆盖UVC、UVB全波段的高效紫外光源。
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公开(公告)号：CN103166112B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310066032.7
申请日：2013-03-01
申请人： 溧阳华晶电子材料有限公司
发明人： 钱时昌
IPC分类号： H01S5/327
摘要： 本发明公开了一种氮镁共掺杂的p型氧化锌薄膜，所述p型氧化锌薄膜中Mg的摩尔百分含量是5-11％，氮的摩尔百分含量是0.8-1.7％；其中，所述p型氧化锌薄膜在常温下，其压电常数d33大于16pC/N，其电阻率大于1.2×1010Ω·cm。
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公开(公告)号：CN103151708B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310066583.3
申请日：2013-03-01
申请人： 溧阳华晶电子材料有限公司
发明人： 钱时昌
IPC分类号： H01S5/327
摘要： 本发明公开了一种镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜，所述镁砷共掺杂p型ZnO晶体薄膜中Mg的摩尔百分含量是8-13％，砷的摩尔百分含量是0.5-1.5％，其中，在常温下，所述镁砷共掺杂后p型ZnO晶体薄膜的压电常数d33大于约18pC/N，其电阻率大于约1010Ω·cm。
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公开(公告)号：CN103151707B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310065381.7
申请日：2013-02-28
申请人： 溧阳市宏达电机有限公司
发明人： 童小春
IPC分类号： H01S5/327
摘要： 本发明公开了一种激光二极管的制造方法，其依次包括如下步骤：在蓝宝石衬底上形成氧化镍薄膜；在氧化镍薄膜的上表面上形成镁砷共掺杂的p型ZnO晶体薄膜；在所述衬底的下表面上和所述镁砷共掺杂的p型ZnO晶体薄膜的上表面上溅射金属材料，从而分别形成底电极和顶电极。
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公开(公告)号：CN103166111A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310065239.2
申请日：2013-03-01
申请人： 溧阳华晶电子材料有限公司
发明人： 钱时昌
IPC分类号： H01S5/327
摘要： 本发明公开了一种采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：n型氧化镍薄膜，其形成在蓝宝石衬底的上表面上；氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。
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公开(公告)号：CN102197554A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142956.2
申请日：2009-07-28
申请人： 3M创新有限公司
发明人： 凯瑟琳·A·莱瑟达勒 , 迈克尔·A·哈斯
CPC分类号： H01S5/041 , H01S5/02476 , H01S5/183 , H01S5/423
摘要： 本发明公开了发光系统。该发光系统包括发射第一波长的光的电致发光装置。该发光系统还包括增强从发光系统的顶面的光发射并抑制从发光系统的一个或多个侧面的光发射的共振腔。该光腔包括可接收所发射的第一波长的光并将接收光的至少一部分转换为第二波长的光的半导体多层叠堆。该半导体多层叠堆包括II-VI势阱。离开发光系统的第二波长所有光的积分发光强度为离开发光系统的第一波长所有光的积分发光强度的至少10倍。
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公开(公告)号：CN100524859C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200680009523.6
申请日：2006-03-23
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H01L29/221 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02472 , H01L21/02505 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L29/045 , H01L29/225 , H01L29/7787 , H01L33/16 , H01L33/28 , H01S5/0422 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/327
摘要： 本发明提供一种即使形成具有ZnO系化合物半导体层的异质结的叠层部从而形成半导体元件，也不会引起驱动电压的上升，而且使结晶性良好、元件特性优异的氧化锌系化合物半导体元件。在由以A面(11-20)或M面(10-10)作为主面的MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)构成的基板(1)的主面上，与主面平行的面在{11-20}面或{10-10}面上取向、并且与主面垂直的面在{0001}面上取向而外延生长ZnO系化合物半导体单晶层(2～6)。
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公开(公告)号：CN1346518A
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：CN00806011.8
申请日：2000-02-02
申请人： 株式会社日本能源
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/322 , H01L21/385 , H01S5/327
CPC分类号： H01L33/28 , H01L33/0008 , H01S5/3059 , H01S5/327
摘要： 采用包含周期表第12(2B)族元素和第16(6B)族元素的化合物半导体晶体基片、在使用位错密度或淀积物密度较低的基片的同时,通过让使第一导电型的上述基片成为第二导电型基片的元素从基片表面热扩散而形成pn结,在上述基片的前表面和背面形成电极,遂制成光电变换功能元件。此外,在基片前表面设置含有使第一导电型的所述基片成为第二导电型基片的元素的扩散源,在阻止形成对在扩散过程中所述元素在所述基片上形成的杂质能级进行补偿的缺陷的同时,通过上述扩散源吸收基片表面的杂质。由此,可对II－VI族化合物半导体的导电类型实施控制,从而使发光特性优良的光电变化功能元件的稳定制造得以实现。
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