- 专利标题： 界面粗糙度降低膜、其原料、由其制得的布线层和半导体器件、制造半导体器件的方法
- 专利标题（英）： Roughness reducing film at interface, materials for forming roughness reducing film at interface, wiring layer and semiconductor device prepared by the same, and method for manufacturing semiconductor
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申请号： CN200710089088.9申请日： 2007-03-29
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公开(公告)号： CN100539114C公开(公告)日： 2009-09-09
- 发明人: 今田忠纮 , 中田义弘 , 矢野映
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县川崎市
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县川崎市
- 代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理商 陈晨
- 优先权： 2006-091549 2006.03.29 JP; 2006-349409 2006.12.26 JP
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L23/532 ; H01L21/31 ; H01L21/3105 ; H01L21/768 ; C08G77/04
摘要：
本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。
公开/授权文献
- CN101047164A 界面粗糙度降低膜、其原料、由其制得的布线层和半导体器件、制造半导体器件的方法 公开/授权日：2007-10-03
IPC分类:
