发明授权
CN100547713C 制造场发射器件的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 制造场发射器件的方法
- 专利标题（英）： Method for manufacturing field transmitting device
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申请号： CN200410035278.9申请日： 2004-02-12
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公开(公告)号： CN100547713C公开(公告)日： 2009-10-07
- 发明人: 李晶姬 , 李亢雨 , 朴相铉 , 金维钟
- 申请人： 三星SDI株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星SDI株式会社
- 当前专利权人： 三星SDI株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 李晓舒; 魏晓刚
- 优先权： 8762/03 2003.02.12 KR
- 主分类号： H01J9/02
- IPC分类号： H01J9/02 ; H01J1/304
摘要：
本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
公开/授权文献
- CN1530997A 制造场发射器件的方法 公开/授权日：2004-09-22
