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公开(公告)号：CN100568436C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200510113205.1
申请日：2005-10-12
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J29/481 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/847 , Y10S977/89
摘要： 本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1797660A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510131015.2
申请日：2005-12-02
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B32/168 , C01B32/172 , C01B2202/08 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要： 本发明提供一种垂直排列碳纳米管的方法。该方法包括：在形成有催化剂金属层的基板上生长碳纳米管；以束的形式从该基板分离生长的碳纳米管；在放入有充电物的电解液内放入分离的碳纳米管束，将碳纳米管与充电物混合，并且使碳纳米管束带电；以及将带电的碳纳米管束利用电泳垂直附着到电极的表面上。
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公开(公告)号：CN1767122A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510113205.1
申请日：2005-10-12
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J29/481 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/847 , Y10S977/89
摘要： 本发明提供碳纳米管发射器及其制造方法、使用该碳纳米管发射器的场发射器件及其制造方法。碳纳米管发射器包括多个固定在基板上与基板平行的第一碳纳米管，以及多个形成在所述第一碳纳米管的表面上的第二碳纳米管。
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公开(公告)号：CN100547713C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200410035278.9
申请日：2004-02-12
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要： 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
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公开(公告)号：CN1530997A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410035278.9
申请日：2004-02-12
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要： 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
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公开(公告)号：CN100530520C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510006235.2
申请日：2005-02-02
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： H01J63/02 , H01J63/06 , H01J1/304 , G02F1/13357
CPC分类号： H01J29/89 , G02F1/133604 , G02F2001/133607 , G02F2001/133625 , H01J63/06
摘要： 本发明提供了一种场发射背光装置。该场发射背光装置包括：前衬底和后衬底，它们平行设置，且彼此间隔开预定距离；阳极和阴极，该阳极和阴极彼此相对地设置在前衬底和后衬底的相应内表面上；荧光层，该荧光层形成在阳极上并具有预定厚度；凸出部分，该凸出部分由多个凸出的突起构成，该凸出部分形成在前衬底的与阳极相对的外表面上；以及电子发射器，该电子发射器形成在阴极上，以便通过施加场来发射电子。
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公开(公告)号：CN1652292A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510006235.2
申请日：2005-02-02
申请人： 三星SDI株式会社
IPC分类号： H01J63/02 , H01J63/06 , H01J1/304 , G02F1/13357
CPC分类号： H01J29/89 , G02F1/133604 , G02F2001/133607 , G02F2001/133625 , H01J63/06
摘要： 本发明提供了一种场发射背光装置。该场发射背光装置包括：前衬底和后衬底，它们平行设置，且彼此间隔开预定距离；阳极和阴极，该阳极和阴极彼此相对地设置在前衬底和后衬底的相应内表面上；荧光层，该荧光层形成在阳极上并具有预定厚度；凸出部分，该凸出部分由多个凸出的突起构成，该凸出部分形成在前衬底的与阳极相对的外表面上；以及电子发射器，该电子发射器形成在阴极上，以便通过施加场来发射电子。
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公开(公告)号：CN1624850A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410104769.4
申请日：2004-12-06
申请人： 三星SDI株式会社
CPC分类号： H01J63/02 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
摘要： 提供一种形成碳纳米管发射器的方法。该方法包括在其上具有电极的衬底上涂覆光致抗蚀剂之后形成图案以在电极上形成光致抗蚀剂点；在衬底上涂覆碳纳米管糊以覆盖住光致抗蚀剂点；通过光致抗蚀剂点和经过烘干了的碳纳米管糊之间的相互扩散，在电极上形成碳纳米管发射器；以及移走覆盖住碳纳米管发射器的碳纳米管糊。
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