发明授权
- 专利标题： 具有增强应力状态的器件及相关方法
- 专利标题（英）： Device having enhanced stress state and related methods
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申请号： CN200580042295.8申请日： 2005-12-08
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公开(公告)号： CN100559555C公开(公告)日： 2009-11-11
- 发明人: 杜雷塞蒂·齐德姆巴劳 , 李瑛 , 拉齐夫·马利克 , 施里施·纳拉西姆哈 , 杨海宁 , 朱慧珑
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 杜娟
- 优先权： 10/905,025 2004.12.10 US
- 国际申请： PCT/US2005/044281 2005.12.08
- 国际公布： WO2006/063060 EN 2006.06.15
- 进入国家日期： 2007-06-08
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L23/58
摘要：
本发明提供一种具有双重氮化物衬垫的半导体器件和用于制造这种器件的方法，所述衬垫为至少一个FET(300)提供增加的横向应力状态。本发明的第一方面提供一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：向该器件施加第一氮化硅衬垫(360)和施加与第一氮化硅衬垫相邻的第二氮化硅衬垫(370)，其中第一和第二氮化硅衬垫在第二氮化硅衬垫下面的硅沟道(330)中引发横向应力，所述应力是相加的。
公开/授权文献
- CN101073147A 具有增强应力状态的器件及相关方法 公开/授权日：2007-11-14