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公开(公告)号:CN101073147A
公开(公告)日:2007-11-14
申请号:CN200580042295.8
申请日:2005-12-08
申请人: 国际商业机器公司
CPC分类号: H01L29/7843 , H01L21/823807 , H01L29/66772 , Y10S438/938
摘要: 本发明提供一种具有双重氮化物衬垫的半导体器件和用于制造这种器件的方法,所述衬垫为至少一个FET(300)提供增加的横向应力状态。本发明的第一方面提供一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:向该器件施加第一氮化硅衬垫(360)和施加与第一氮化硅衬垫相邻的第二氮化硅衬垫(370),其中第一和第二氮化硅衬垫中的至少一个在第一和第二氮化硅衬垫中的至少一个的下面的硅沟道(330)中引发横向应力。
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公开(公告)号:CN100559555C
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200580042295.8
申请日:2005-12-08
申请人: 国际商业机器公司
CPC分类号: H01L29/7843 , H01L21/823807 , H01L29/66772 , Y10S438/938
摘要: 本发明提供一种具有双重氮化物衬垫的半导体器件和用于制造这种器件的方法,所述衬垫为至少一个FET(300)提供增加的横向应力状态。本发明的第一方面提供一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:向该器件施加第一氮化硅衬垫(360)和施加与第一氮化硅衬垫相邻的第二氮化硅衬垫(370),其中第一和第二氮化硅衬垫在第二氮化硅衬垫下面的硅沟道(330)中引发横向应力,所述应力是相加的。
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公开(公告)号:CN1836323A
公开(公告)日:2006-09-20
申请号:CN200480023498.8
申请日:2004-05-27
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: H01L21/8238 , H01L21/84
CPC分类号: H01L21/76275 , H01L21/823807 , H01L21/84
摘要: 提供了一种集成的半导体结构,它包含至少一个形成在对器件最佳的第一晶面上的器件,而另一器件被形成在对此另一器件最佳的不同的第二晶面上。形成此集成结构的方法包括提供键合衬底,此键合衬底至少包括第一晶向的第一半导体层和不同的第二晶向的第二半导体层。部分键合衬底被保护以确定第一器件区,而键合衬底的其它部分不被保护。键合衬底的未被保护部分然后被腐蚀,以便暴露第二半导体层的表面,并在暴露的表面上再生长半导体材料。在整平之后,第一半导体器件被形成在第一器件区中,而第二半导体器件被形成在再生长材料中。
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公开(公告)号:CN101322239A
公开(公告)日:2008-12-10
申请号:CN200680045213.X
申请日:2006-12-20
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC分类号: H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L27/0922 , H01L29/6656 , H01L29/7842 , H01L29/7843
摘要: 一种用于制作半导体器件结构的方法,包括:提供衬底(10);在衬底上形成具有第一间隔件(SP)的第一栅极(G1)、具有第二间隔件(SP)的第二栅极(G2)、分别与第一栅极和第二栅极相邻的相同导电类型的各个源极(S)和漏极(D)区域、设置在第一栅极和第二栅极中间的隔离区域(STI)、以及在第一栅极、第二栅极和各个源极与漏极区域上的硅化物;在第一间隔件上形成附加间隔件(RSPS),以产生中间结构,然后在整个中间结构上设置应力层。
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公开(公告)号:CN100407408C
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200480023498.8
申请日:2004-05-27
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: H01L21/8238 , H01L21/84
CPC分类号: H01L21/76275 , H01L21/823807 , H01L21/84
摘要: 提供了一种集成的半导体结构,它包含至少一个形成在对器件最佳的第一晶面上的器件,而另一器件被形成在对此另一器件最佳的不同的第二晶面上。形成此集成结构的方法包括提供键合衬底,此键合衬底至少包括第一晶向的第一半导体层和不同的第二晶向的第二半导体层。部分键合衬底被保护以确定第一器件区,而键合衬底的其它部分不被保护。键合衬底的未被保护部分然后被腐蚀,以便暴露第二半导体层的表面,并在暴露的表面上再生长半导体材料。在整平之后,第一半导体器件被形成在第一器件区中,而第二半导体器件被形成在再生长材料中。
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