在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法

Invention Grant

CN100565812C 在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法失效 - 权利终止转让

Patent Title: 在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法
Patent Title (English): Method for reducing large patter sinking in chemical and mechanical grinding of metal and multi-crystal silicon
Application No.: CN200610027371.4

Application Date: 2006-06-07
Publication No.: CN100565812C

Publication Date: 2009-12-02
Inventor: 蒋莉 , 邹陆军 , 李绍彬 , 许丹
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
Agency: 北京市金杜律师事务所
Agent 李勇
Main IPC: H01L21/302
IPC: H01L21/302 ; H01L21/321

Abstract:

本发明提供一种在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法，主要通过以光刻和蚀刻技术结合修饰性化学机械研磨的方法，避免对大图案的金属或者多晶硅进行研磨时出现过度凹陷。这种方法既可以使一个晶片的有源区性能良好，也可以使周边大图案区域的凹陷问题减少，另外这种方法也有利于提升晶片的均匀性。

Public/Granted literature

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割