发明授权
- 专利标题: 包括自身ID信息的存储器件
- 专利标题(英): Memory device including self-ID information
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申请号: CN200410103718.X申请日: 2004-12-28
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公开(公告)号: CN100573703C公开(公告)日: 2009-12-23
- 发明人: 安龙福
- 申请人: 海力士半导体有限公司
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人: 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 邸万奎; 黄小临
- 优先权: 29602/04 2004.04.28 KR
- 主分类号: G11C7/00
- IPC分类号: G11C7/00 ; G11C11/4063
摘要:
本发明提供了一种包括自身ID信息的存储器件,用于存储关于存储器件的诸如缺陷地址、制造工厂、制造日期、晶片号码、晶片上的坐标等信息。该存储器件包括多个存储体,其中每个存储体包括信息存储单元。所述信息存储单元包括连接在电源电压与第一节点之间的第一晶体管以及连接在第一节点和地线之间的N个熔丝单元。每个熔丝单元包括连接在第一节点与第二节点之间的熔丝以及连接在第二节点和地线之间的第二晶体管。如果在第二晶体管由于被其栅极接收的预解码器的输出信号导通时熔丝切断,则信息存储单元输出高电平信号,而在第二晶体管被预解码器的输出信号导通时熔丝不切断,则信息存储单元输出低电平信号。
公开/授权文献
- CN1691196A 包括自身ID信息的存储器件 公开/授权日:2005-11-02