发明授权
CN100582325C 硫化镉量子线的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 硫化镉量子线的制备方法
- 专利标题(英): Process for producing cadmium sulfide quantum wire
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申请号: CN200710044108.0申请日: 2007-07-23
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公开(公告)号: CN100582325C公开(公告)日: 2010-01-20
- 发明人: 侯士丽 , 茅惠兵 , 王基庆 , 朱自强 , 俞建国
- 申请人: 华东师范大学
- 申请人地址: 上海市中山北路3663号
- 专利权人: 华东师范大学
- 当前专利权人: 华东师范大学
- 当前专利权人地址: 上海市中山北路3663号
- 代理机构: 上海德昭知识产权代理有限公司
- 代理商 程宗德; 石昭
- 主分类号: C30B29/50
- IPC分类号: C30B29/50 ; C30B29/62
摘要:
一种硫化镉量子线的制备方法,确切说,一种用模板法制备硫化镉量子线的方法,属于纳米材料制备的技术领域。以含有微孔阵列的氧化铝作模板,微孔的直径和孔深分别为8~20nm和2~3μm,用直流电沉积技术在微孔阵列内制得尺寸可调的硫化镉量子线,该制备方法可有效地控制硫化镉量子线的尺寸,使其具有量子限制效应,而且还可由量子限制效应调节禁带宽度,使硫化镉的吸收系数比体材料更大;该制备方法有序地分布在含微孔阵列的氧化铝模板中,量子线之间互相分离,并能被精确定位。该制备方法特别适于用来制备硫化镉量子线。
公开/授权文献
- CN101109108A 硫化镉量子线的制备方法 公开/授权日:2008-01-23
IPC分类: