一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法
摘要:
本发明公开了一种磁性形状记忆合金的材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Ni50+xFe25-xGa25+y,其中-2.00≤x≤2.00;-3.00≤y≤2.00;x、y表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中,并加入SiO2+B2O3玻璃,采用提拉法生长Ni50+xFe25-xGa25+y单晶。本发明的单晶制备过程中加入了SiO2+B2O3玻璃,有效地控制了本发明规定成分的NiFeGa材料在单晶生长过程中容易产生的第二相析出。此外,本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备,而不需要附加设备,因此,成本低、易于工业化批量生产。
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