发明授权
CN100587092C 一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法
- 专利标题(英): Magnetic shape memory alloy monocrystalline and preparation thereof
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申请号: CN200810055808.4申请日: 2008-01-09
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公开(公告)号: CN100587092C公开(公告)日: 2010-02-03
- 发明人: 朱伟 , 陈京兰 , 吴光恒
- 申请人: 中国科学院物理研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 代理机构: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 尹振启
- 主分类号: C22C19/03
- IPC分类号: C22C19/03 ; C30B29/52 ; C30B15/00
摘要:
本发明公开了一种磁性形状记忆合金的材料及其单晶制备方法。该磁性单晶材料的化学式为Ni50+xFe25-xGa25+y,其中-2.00≤x≤2.00;-3.00≤y≤2.00;x、y表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料盛放在坩埚中,并加入SiO2+B2O3玻璃,采用提拉法生长Ni50+xFe25-xGa25+y单晶。本发明的单晶制备过程中加入了SiO2+B2O3玻璃,有效地控制了本发明规定成分的NiFeGa材料在单晶生长过程中容易产生的第二相析出。此外,本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备,而不需要附加设备,因此,成本低、易于工业化批量生产。
公开/授权文献
- CN101275194A 一种磁性形状记忆合金单晶及制备方法 公开/授权日:2008-10-01