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公开(公告)号：CN119553366A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510041706.0
申请日：2025-01-10
Applicant: 晶澳(无锡)光伏科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种单晶炉，包括：炉体、炉盖、设置在炉盖上方的副室以及设置在炉盖与副室之间的旋阀装置，炉盖上设置有用于单晶硅棒通过的第一通孔，旋阀装置安装在第一通孔处，炉盖上还设置有第二通孔，第二通孔处设置有观察窗，观察窗包括观察窗主体和两个玻璃组件，观察窗主体安装于炉盖上的一端且形成有与第二通孔连通的单个视窗，观察窗主体远离炉盖的一端形成有彼此独立的两个视口，两个视口均与视窗连通，每个玻璃组件分别封盖每个视口，两个视口沿视窗的长度方向间隔且对称布置。本申请的单晶炉的观察窗采用双视口和视窗的结构，降低了玻璃组件的压力，避免产生玻璃组件损坏等问题，能够满足拉制大直径单晶硅棒的需求。
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公开(公告)号：CN119553354A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411789130.8
申请日：2024-12-06
Applicant: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安奕斯伟硅片技术有限公司
Inventor： 秦浩
Abstract: 本发明提供了一种单晶炉的副炉室，属于半导体生产技术领域。包括：副炉本体，内部具有容置空间，所述副炉本体包括：内壁和外壁，所述内壁将所述容置空间分隔为副炉室内腔和炉壁内腔，所述炉壁内腔位于所述内壁和所述外壁之间，所述炉壁内腔内通有冷却液；温控机构，设置在所述炉壁内腔内，所述温控机构用于控制所述副炉室内腔内单晶硅棒的局部温度；驱动机构，与所述温控机构连接，所述驱动机构用于驱动所述温控机构在竖直方向上运动，所述竖直方向垂直于水平面。本发明的技术方案能够控制单晶炉内晶棒冷却时在某一温度区间的停留时间。
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公开(公告)号：CN119553353A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411748417.6
申请日：2024-12-02
Applicant: 常州裕能石英科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体生长炉技术领域，具体为一种晶体生长炉坩埚加热装置，包括牵引机构，设置在牵引机构内的加热机构、设置在加热机构上的籽晶杆预热机构、设置在加热机构和籽晶杆预热机构之间的杆轴校稳机构以及设置在加热机构内的熔料坩埚；所述牵引机构包括用于为晶体生成提供附着基础的籽晶杆。通过在传统单晶硅加热熔炼装置的顶部设置独立的籽晶杆预热机构，当籽晶杆在初始状态被悬吊在加热装置的正上方后，籽晶杆预热机构便可包裹杆体，此时加热装置内释放的热能便会主动传递至籽晶杆预热机构内，最终籽晶杆便可与原料熔炼的温度保持恒定，从而可以避免籽晶杆与熔料存在温差而导致后续晶体生成提拉后发生裂纹。
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公开(公告)号：CN118996606B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411483460.4
申请日：2024-10-23
Applicant: 上海太洋科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种宝石级铝酸铍晶体的制备方法，包括以下步骤：(S1)铝源和铍源投料于坩埚，升温至1800‑1850℃反应，生成铝酸铍，继续升温50‑100℃并保温1‑2h形成铝酸铍晶相，继续升温至2100‑2200℃形成铝酸铍熔体；(S2)晶体生长提拉设备抽真空后充入氩气，将铝酸铍籽晶下移至铝酸铍熔体液面上方，下降籽晶至熔体液面以下，旋转并向上提拉籽晶，同时对环境施加周期性交替变化的超声环境，晶体开始生长，保持温度直至晶体生长结束；(S3)晶体生长结束后，晶体拉离熔体，缓慢降温至室温，得到宝石级铝酸铍晶体。本发明制得的铝酸铍晶体光学性能好，弱光吸收系数低，光学均匀性好。
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公开(公告)号：CN119465374A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510039563.X
申请日：2025-01-10
Applicant: 吉林建筑大学
Abstract: 本发明提出的一种用于紫外芯片薄膜衬底的氯化钾晶体生长方法，属于晶体生长工艺领域，该生长方法是采用提拉法在大气环境下生长大截面氯化钾晶体的方法，包括原料纯化、装料、升温、引晶、放肩、收肩、等径生长、拉脱、退火等步骤。该方法可以获得直径Φ110 mm‑150 mm的大截面高质量的氯化钾晶体。所获得的晶体测试表明：该氯化钾晶体在红外波段透过率大于91%，XRD显示晶体纯度高，没有杂峰，该晶体在紫外芯片薄膜衬底和红外窗口等领域具有较大应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119392351A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411504742.8
申请日：2024-10-26
Applicant: 上海超硅半导体股份有限公司 , 重庆超硅半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体制备领域，尤其涉及一种单晶硅的生产装置、制备方法、单晶硅以及绝缘栅双极晶体管。单晶硅的生产装置包括：坩埚，用于放置并熔化原料；加热模块，所述加热模块环绕所述坩埚设置，包括上部的固定加热器及下部的可移动加热器，所述可移动加热器沿着晶棒提拉的方向移动，以在晶体生长的不同阶段精确控制晶体生长温度梯度和氧的扩散传输模式；磁场模块，用于在晶体生长过程中施加的非对称勾形磁场，以抑制坩埚中原料的对流，减少氧浓度，并提高氧的径向均匀性。上述技术方案能够基于300mm N型单晶硅在低氧（
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公开(公告)号：CN119392350A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411502419.7
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种降低直拉单晶氧含量的系统及其方法，在化料后，单晶炉内的大部分气体通过进气件分布至气体收集腔内，气体收集腔内的气体能够通过排气件排出，通过石英排气系统，可以有效的控制单晶炉内的气体流出速度，从而控制Oi的挥发速率，增加真空泵排气能力，能够带走更多的挥发O元素，阻止O元素流入固液界面前沿，最终降低O含量，将单晶硅棒中的氧含量稳定的控制在低于5 ppma以下，且在控制O含量的同时，气体收集腔在收集气体的同时，能够通过气体流动，带走隔热组件上半部分表面吸收的辐射热和流体流经带来的热量，提供更优秀的温度场，从而控制晶棒中缺陷的形核与长大。
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公开(公告)号：CN119372763A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411389151.0
申请日：2024-09-30
Applicant: 江西联创光电超导应用有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆拉晶装置，涉及拉晶炉技术领域，具体包括主炉室，所述主炉室的顶部固定连接有副炉室，所述主炉室的顶部磁性相吸有转移室，所述主炉室顶端的一侧固定连接有尾气处理结构和进料结构；所述进料结构包括料筒，所述料筒的内腔内活动连接有螺旋送料轴，所述料筒的侧壁和螺旋送料轴的内腔内均设有气道，气道的一端活动连接有进气管，所述进气管的另一端延伸至主炉室的内腔内。该晶圆拉晶装置，通过转移室的设置，在取单晶棒的过程中，副炉室不需要与主炉室分离，该装置可继续工作，提高该装置的工作效率；单晶棒在移动过程中，夹持结构对单晶棒进行夹持固定，能够省略稳定晶棒的步骤，进而提高取晶棒的效率。
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公开(公告)号：CN113758905B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202110976805.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司 , 江西新余新材料科技研究院
Abstract: 本发明公开了一种铸锭单晶硅块的质量判定方法和铸锭单晶硅块，其步骤包括：（1）将铸锭单晶硅块的头部统一去除30‑60mm左右；（2）利用光致发光测试仪测量铸锭单晶硅块的头部端面的光致发光测试图片，并计算得到光致发光测试图片的黑丝面积比例值DS；（3）测量并计算铸锭单晶硅块的端面面积S；（4）建立黑丝生长计算模型，确定硅块去除长度L与预设端面黑丝面积比例值DL的关系式L（DL,⍺），其中，⍺为位错生长角度；（5）根据预设端面黑丝面积比例值DL和关系式L（DL,⍺），计算得到硅块去除长度L的值；（6）根据硅块去除长度L的值进行铸锭单晶硅块的头部去除。该方法通过将光致发光测试结合铸锭单晶硅锭的生长特性，提出一种全新的铸锭单晶硅块头部不同黑丝比例的去除方式。
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公开(公告)号：CN110484967B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910941999.2
申请日：2019-09-30
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种直拉硅单晶炉平底导流筒，包括导流筒侧壁部、导流筒过渡部和导流筒平底部，导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部依次连接，其中，导流筒侧壁部、导流筒过渡部与导流筒平底部均为环状结构，导流筒平底部的直径小于导流筒侧壁部的直径，且导流筒平底部与导流筒侧壁部同轴线设置，以便减小硅溶液液面与导流筒之间的间隙。本发明的有益效果是具有导流筒平底部，导流筒与液面缝隙降少，气体流速加快，可快速带走挥发出的氧，可有效降低大尺寸单晶氧含量，提升大尺寸单晶品质。
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