发明授权
CN100589001C 半导体装置和光检测方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体装置和光检测方法
- 专利标题(英): Semiconductor apparatus and light detection method
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申请号: CN200710306895.1申请日: 2007-10-08
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公开(公告)号: CN100589001C公开(公告)日: 2010-02-10
- 发明人: 木岛公一朗
- 申请人: 索尼株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 索尼株式会社
- 当前专利权人: 索尼株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 彭久云; 马高平
- 优先权: 274751/06 2006.10.06 JP
- 主分类号: G02B6/10
- IPC分类号: G02B6/10 ; H01L29/78
摘要:
本发明提供一种半导体装置,其包括设置在半导体区域内且在绝缘层上的光波导、以及设置在该光波导处的多个光检测器。所述多个光检测器包括栅绝缘场效应晶体管。所述多个光检测器以不同时序捕获数据。
公开/授权文献
- CN101201434A 半导体装置和光检测方法 公开/授权日:2008-06-18