发明授权
- 专利标题： 光刻装置和器件制造方法
- 专利标题（英）： Lithographic apparatus and device manufacturing method
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申请号： CN200410094716.9申请日： 2004-11-12
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公开(公告)号： CN100595674C公开(公告)日： 2010-03-24
- 发明人: P·R·巴特拉 , W·J·博西 , J·J·库伊特 , C·C·M·鲁伊坦 , B·A·J·鲁迪克休伊斯 , M·坦布霍梅 , F·米格彻布林克
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维尔德霍芬
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维尔德霍芬
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王波波
- 优先权： 10/735847 2003.12.16 US; PCT/NL03/00798 2003.11.13 WO
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; H01L21/00
摘要：
提供的光刻装置包括用于保持基底W的基底台WT，用于将带图案的光束投射至基底W的目标部分之上的投影系统PL，以及用于提供参考表面的隔离参考框架MF，相对于该参考框架测量基底W，其中，参考框架MF包括具有高热膨胀系数的材料。
公开/授权文献
- CN1617048A 光刻装置和器件制造方法 公开/授权日：2005-05-18