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公开(公告)号：CN112005338B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201880089260.7
申请日：2018-03-23
申请人： 成都奕成集成电路有限公司
摘要： 公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括将多个半导体基板和框架构件粘附到载体基板的支撑表面上。所述半导体基板可以是能够切割或切成多个管芯的晶圆。由此，每个晶圆具有各自的有源表面和至少一个各自的集成电路区域。所述方法可以进一步包括将所述框架构件和所述多个半导体基板密封在密封剂中。随后，移除所述载体基板，并且在所述半导体基板和所述框架构件上形成再分布层(RDL)。
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公开(公告)号：CN116250060A8
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202180060371.7
申请日：2021-07-27
申请人： 南京金斯瑞生物科技有限公司
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 本发明涉及生物芯片领域，提供了一种半导体芯片表面连接体及其制备方法和应用，所述芯片表面连接体通过以硅烷化分子为溶质，甲苯为溶剂，与芯片表面反应形成连接在芯片表面的键合分子，并与功能化分子反应修饰羟基和酯基制得。本发明获得的芯片表面连接体能稳定地结合于芯片表面，在酸性和碱性条件下稳定，具有较好的导电性、加电稳定性以及抗核酸合成所需有机溶剂，对于后续的核酸合成及其他应用极其有利。
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公开(公告)号：CN117940843A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280002863.5
申请日：2022-08-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/1362 , H01Q1/22 , H01L21/00
摘要： 一种显示基板及其制备方法、显示装置，该显示基板包括衬底基板(101)、像素驱动电路层(102)以及天线层(103)，像素驱动电路层(102)设置在衬底基板(101)上，包括薄膜晶体管(TFT)以及多条信号线，天线层(103)设置在像素驱动电路层(102)的远离衬底基板(101)的一侧，包括第一天线设置区域(103A)，第一天线设置区域(103A)包括由多条第一天线走线(1031)形成的第一天线网络。该显示基板中的第一天线网络可以在显示基板的制程中形成，并且采用独立的导电层制作，可以具有更好的天线性能。
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公开(公告)号：CN117916876A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280051023.8
申请日：2022-06-24
申请人： IC分析有限责任公司
摘要： 一种装置具有容纳芯片的行和列的半导体晶片，其中芯片的行和列由划线分开。选择电路系统位于划线内。选择电路系统连接到划线中的测试电路。选择电路系统操作以在单个测试电路处启用电压控制，同时禁用所有其它测试电路，并且包括用于每个测试电路的头部开关和用于每个测试电路的底部开关。
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公开(公告)号：CN110832617B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201780088387.2
申请日：2017-03-13
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
摘要： 一种器件，其包括半导体衬底(100)；掩埋层(101)；以及具有内壁的沟槽(128)，其从埋层(101)延伸到半导体衬底(100)的表面，沟槽(128)具有侧壁、底壁、阻挡层(134)和填料，该阻挡层(134)包括覆盖侧壁和底壁的钛(Ti)层，该填料包括形成在阻挡层(134)上的一个以上的导体材料层(130、132)。
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公开(公告)号：CN116143552B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202211490001.X
申请日：2022-11-25
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提供了一种具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，该二维硒化铟半金属/金属材料包括：含有钇原子的二维硒化铟，所述二维硒化铟半金属/金属材料的微观结构如下：硒化铟中掺杂有金属钇原子，硒化铟的一部分铟原子被所述钇原子所取代，所述二维硒化铟半金属/金属材料的能带结构中的导带底和价带顶至少具有重叠。根据本发明的有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，通过表面改性处理和退火处理使得金属钇原子替位铟原子掺杂到二维硒化铟材料中，实现二维硒化铟材料从半导体相向金属相的转变，以低成本得到稳态的具有金属相的二维硒化铟材料。
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公开(公告)号：CN117616539A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280001377.1
申请日：2022-05-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 提供一种量子点发光器件及其制备方法。量子点发光器件(200)包括：依次层叠设置的电子传输层(201)、辅助层(202)和量子点发光层(203)，量子点发光层(203)包括量子点(2031)，量子点(2031)的表面具有第一配体(2032)，第一配体(2032)包括和量子点(2031)连接的第一官能团以及远离量子点(2031)的第二官能团；量子点(2031)的和第一配体(2032)接触的表面具有金属元素和非金属元素形成的化合物，辅助层(202)的材料包括含有第二官能团的化合物、含有金属元素的化合物、含有非金属元素的化合物中的至少之一，辅助层(202)先占据可能残留不必要的量子点材料的位点，即辅助层(202)可以避免第一颜色量子点层(203a)的材料残留在第二子像素区(2041b)和第三子像素区(2041c)中，还可以避免第二颜色量子点层(203b)的材料残留在第三子像素区(2041c)中，进而可以避免混色的问题，以提高量子点发光器件(200)的色域，进而可以提高量子点发光器件(200)的全彩性能。
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公开(公告)号：CN117441223A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202180099146.4
申请日：2021-06-21
申请人： 应用材料公司
摘要： 用于控制处理腔室中的等离子体的方法及设备利用提供RF接地路径的RF终端滤波器。在一些实施方式中，一种设备可包括：DC滤波器，被配置为电连接在DC电源与嵌入于静电卡盘中的电极之间，其中所述DC滤波器被配置为阻止来自DC电源的DC电流流经DC滤波器；及RF终端滤波器，被配置为电连接在该DC滤波器与处理腔室的RF接地之间，其中该RF终端滤波器被配置为相对于RF接地调整电极的阻抗。
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公开(公告)号：CN117231912A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311216021.2
申请日：2023-09-20
申请人： 上海良薇机电工程有限公司
IPC分类号： F17C6/00 , F17C9/02 , F17C13/02 , F17C13/04 , F17C13/00 , F17D1/20 , F17D1/08 , F17D3/01 , B08B9/032 , H01L21/00
摘要： 本发明涉及一种液氨充装装置、方法及半导体工艺系统，液氨充装装置包括液体供应单元、储液单元、分析单元、充装单元、回流单元、泄压单元和吹扫单元。其优点在于，通过设置分析单元并与储液单元连通，且分析单元可对储液单元内的氨气进行分析并得到分析结果，装置并根据分析结果将储液单元内氨气、液氨输送至充装单元、回流单元；还通过设置泄压单元分别与储液单元、充装单元连通，对储液单元、充装单元进行泄压，保证装置的工作安全性。
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公开(公告)号：CN106783677B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201611121713.9
申请日：2016-12-08
申请人： 江门格兰达物联装备有限公司
摘要： 本发明提供了一种槽式料箱自动上料设备，其包括槽式料箱、上料定位机构、搬送机构、上下料抓取机构、推出机构、出料机构和回收输送机构；上料定位机构设有上料位，槽式料箱放置在上料位上；搬送机构设置于上料定位机构下方，槽式料箱通过搬送机构从上料位搬送到待料位；上下料抓取机构能够将槽式料箱从待料位搬送到工作位；推出机构能够将槽式料箱中的插件逐一推出工作位；出料机构能够将从槽式料箱中推送出来的插件逐一搬送到出料位；回收输送机构将空载的槽式料箱送出到回收位。采用本发明，能够实现槽式料箱自动搬送及上料，槽式料箱中插件(如UV膜盘)自动出料，空载的槽式料箱自动回收及送出功能，节省人力，且保证产品质量。
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