发明公开
CN101008077A 单阴极等离子沉积大面积非晶、纳米晶合金层的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 单阴极等离子沉积大面积非晶、纳米晶合金层的方法
- 专利标题(英): Method for precipitating large area amorphous, nanocrystalline alloy layer using single cathode plasma
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申请号: CN200710019824.3申请日: 2007-01-30
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公开(公告)号: CN101008077A公开(公告)日: 2007-08-01
- 发明人: 徐江 , 徐重 , 陶杰 , 张平则 , 刘子利 , 缪强 , 陈哲源 , 朱文慧 , 骆心怡
- 申请人: 南京航空航天大学
- 申请人地址: 江苏省南京市御道街29号
- 专利权人: 南京航空航天大学
- 当前专利权人: 南京航空航天大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市御道街29号
- 代理机构: 南京苏高专利事务所
- 代理商 阙如生
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C23C14/14 ; C23C14/54
摘要:
本发明提供了一种单阴极等离子沉积大面积非晶、纳米晶合金层的方法,适用于金属及合金表面制备表面结构性能(耐蚀、耐磨)以及表面物理性能方面的改性层领域。该方法用于在纯金属表面自形成非晶+次表层纳米晶沉积层时,其特征在于:采用单阴极结构辉光溅射装置及方法,阴极电压:300-650V,Ar气气压:20-45Pa。当用于在非金属时,则以金属靶材为阴极,阴极电压:300-650V,Ar气气压:20-45Pa,非金属材料与靶材垂直间距为:30-40mm。该技术为制备非晶薄膜开辟了新的材料体系与工艺方法。
公开/授权文献
- CN101008077B 单阴极等离子沉积非晶、纳米晶层的方法 公开/授权日:2010-07-21
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