利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN101083298B 具有缩减活性面积及接触面积的电阻式随机存取存储单元 有权

具有缩减活性面积及接触面积的电阻式随机存取存储单元
摘要：
一种存储器件，有一侧壁绝缘装置，其具有与第一侧壁隔离层厚度相同的侧壁绝缘装置长度；形成自第二侧壁隔离层的第一电极，其具有与第二侧壁隔离层厚度相同的第一电极长度，以及形成自该第二侧壁隔离层的第二电极，其具有与该第二侧壁隔离层厚度相同的第二电极长度，被形成于该侧壁绝缘装置的侧壁上；存储器材料的导桥，其具有导桥宽度，自该第一电极的上表面延伸至该第二电极的上表面，横跨该侧壁绝缘装置的上表面，其中该导桥包含存储器材料。
摘要（英）：

A memory device has a sidewall insulating member with a sidewall insulating member length according to a first spacer layer thickness. A first electrode formed from a second spacer layer having a first electrode length according to a thickness of a second spacer layer and a second electrode formed from the second spacer layer having a second electrode length according to the thickness of the second spacer layer are formed on sidewalls of the sidewall insulating member. A bridge of memory material having a bridge width extends from a top surface of the first electrode to a top surface of the second electrode across a top surface of the sidewall insulating member, wherein the bridge comprises memory material.

公开/授权文献
0/0