发明授权
- 专利标题: Sb-Te系合金烧结体靶及其制造方法
- 专利标题(英): Sb-Te alloy sintering product target and process for producing the same
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申请号: CN200580043912.6申请日: 2005-11-29
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公开(公告)号: CN101084324B公开(公告)日: 2010-06-09
- 发明人: 高桥秀行
- 申请人: 日矿金属株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 日矿金属株式会社
- 当前专利权人: 捷客斯金属株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 樊卫民; 郭国清
- 优先权: 373058/2004 2004.12.24 JP
- 国际申请: PCT/JP2005/021871 2005.11.29
- 国际公布: WO2006/067937 JA 2006.06.29
- 进入国家日期: 2007-06-20
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; B22F1/00 ; C22C12/00 ; C22C28/00 ; G11B7/26
摘要:
本发明涉及一种Sb-Te系合金烧结体靶,是使用由Sb-Te系合金的大致球状的粒子构成的喷雾粉的溅射靶,其特征在于,所述球状的喷雾粉由被压成扁平的粒子构成,扁平粒子的短轴和长轴之比(扁平率)为0.6以下的粒子占全体的50%以上。所述Sb-Te系合金烧结体靶,其特征在于,长轴方向相对于与靶表面平行的方向成±45°以内而整齐的粒子占全体的60%以上。所述Sb-Te系合金烧结体靶,其特征在于,靶中的氧浓度为1500wtppm以下。本发明实现了Sb-Te系合金溅射靶组织的均匀和微细化,抑制烧结靶的裂纹的发生,在溅射时防止电弧放电的发生。另外,本发明减少了由于溅射腐蚀所产生的表面凹凸,得到了品质良好的Sb-Te系合金溅射靶。
公开/授权文献
- CN101084324A Sb-Te系合金烧结体靶及其制造方法 公开/授权日:2007-12-05
IPC分类: