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公开(公告)号:CN1930323B
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN200580007099.7
申请日:2005-02-22
Applicant: 日矿金属株式会社
Inventor: 大内高志
CPC classification number: C25D5/48 , C23C22/58 , H05K3/3478
Abstract: 本发明提供一种对金属、尤其是Sn和Sn合金镀敷物赋予抗氧化性、改善润湿性的表面处理剂。进而提供一种抑制Sn和Sn合金镀敷物的晶须的产生的表面处理剂。本发明的金属的表面处理剂,其特征在于,含有共计大于等于0.01g/L的1种或2种以上的在一分子内具有2个以上的膦酸基且分子内不含有酯键的化合物和/或其盐。优选将表面处理剂的pH调整为5以下,更优选进而含有0.1~10g/L的表面活性剂。作为金属,优选Sn和Sn合金。
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公开(公告)号:CN101578394B
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:CN200880001381.8
申请日:2008-07-18
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: C23C18/18 , C23C14/38 , C23C14/42 , C23C28/02 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C14/165 , C23C14/584 , C23C18/31 , C23C18/54 , C25D5/02 , H01L21/288 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , Y10T428/12639 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12875 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12986 , Y10T428/265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种镀敷物以及该镀敷物的制造方法。所述镀敷物是能够通过无电镀而形成超微细配线的、具有以薄且均匀的膜厚形成的籽晶层的镀敷物,而且,在形成籽晶层前能够消除形成阻挡层和催化剂金属层这二层的烦杂。本发明的镀敷物,是在基材上形成具有无电镀的催化活性的金属(A)与能够与无电镀液中含有的金属离子置换镀敷的金属(B)的合金薄膜,并在该合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成了金属薄膜的镀敷物,该具有催化活性的金属(A)与该能够置换镀敷的金属(B)的合金薄膜,是使该金属(A)为5原子%~40原子%的组成,该通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是厚度为10nm以下、电阻率为10μΩ·cm以下的金属薄膜。优选所述金属(B)对金属薄膜的金属具有阻挡功能。
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公开(公告)号:CN102007626A
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN200980113548.4
申请日:2009-02-20
Applicant: 日矿金属株式会社
CPC classification number: H01M4/525 , C01G53/006 , C01G53/50 , C01P2002/77 , C01P2004/61 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , H01M4/505 , H01M4/52 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , Y02E60/122
Abstract: 本发明提供一种锂离子电池正极材料用正极活性物质,包含由具有层状结构的LiaNixMnyCozO2(1.0<a<1.3、0.8<x+y+z<1.1=所表示的含有锂的镍锰钴复合氧化物,并且在由使用CuKα射线的粉末X射线衍射图形中的(018)面和(113)面计算晶格常数并以从所述晶格常数推算的摩尔体积Vm为纵轴、以金属成分中的Co比率z(摩尔%)为横轴的区域中,Vm与z的关系处于以Vm=21.276-0.0117z为上限、以Vm=21.164-0.0122z为下限的范围内,并且(018)面和(113)面的半峰宽均为0.200°(度)以下。通过对被认为与晶体结构相关的钴(Co)比率和晶格常数的关系进行研究,并对其进行规定,从而得到结晶性高、具有高容量和高安全性的正极活性物质,并通过使用该材料,得到更能够确保锂离子电池特性、确保安全性的锂离子电池用正极活性物质。
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公开(公告)号:CN101611174B
公开(公告)日:2011-03-02
申请号:CN200880004957.6
申请日:2008-02-08
Applicant: 日矿金属株式会社
CPC classification number: C22B58/00 , C22B7/001 , C22B7/006 , C22B25/06 , C25B1/00 , C25C1/00 , Y02P10/214 , Y02P10/228 , Y02P10/234
Abstract: 一种从ITO废料中回收有价值金属的方法,其特征在于,使用不溶性电极作为阳极或阴极中的一个,并且使用含有导电氧化物的废料作为各自的对电极即另一个阴极或阳极,周期性地反转极性进行电解,以氢氧化物形式回收该废料;以及上述从含有导电氧化物的废料中回收有价值金属的方法,其特征在于,氧化物废料是导电氧化物,并且是能够由氢还原为金属或低氧化物的物质。本发明提供从含有导电氧化物的溅射靶或制造时产生的靶边角料等含有导电氧化物的废料中高效回收有价值金属的方法。
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公开(公告)号:CN101946026A
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN200980104782.0
申请日:2009-01-30
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: C25C1/22 , C01G9/02 , C01G15/00 , C22B3/44 , C22B7/00 , C22B19/20 , C22B19/30 , C22B58/00 , C25C1/16
CPC classification number: C22B3/045 , C01G9/02 , C01G15/00 , C22B3/22 , C22B7/006 , C22B19/30 , C22B58/00 , C25B1/00 , C25C1/22 , Y02P10/234
Abstract: 一种从IZO废料中回收有价值金属的方法,其特征在于,通过使用IZO废料作为阳极和阴极,并使极性周期性反转进行电解,将铟和锌以氢氧化物形式进行回收;和所述的从IZO废料中回收有价值金属的方法,其特征在于,将通过所述电解得到的铟和锌的氢氧化物进行焙烧,以铟和锌的氧化物形式进行回收。本发明提供从铟-锌氧化物(IZO)溅射靶或制造时产生的IZO边角料等IZO废料中有效地回收铟和锌的方法。
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公开(公告)号:CN101942652A
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN201010133445.9
申请日:2006-03-13
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: C23C18/42
CPC classification number: C23C18/1601 , C23C18/1651 , C23C18/42 , H05K3/244 , H05K2203/072 , H05K2203/073
Abstract: 本发明的目的是提供一种基底金属的耐蚀性优异、并且可提高焊料接合性,而且在成本方面也比现有制品有利的具有无电解镀金皮膜的基材。本发明的镀覆基材,是在基材上具有多层膜的镀覆基材,其特征在于,该多层膜包括:下层,其为无电解镀镍皮膜;中间层,其是膜厚度为0.2nm以上、小于10nm,或者重量为0.2432μg/cm2以上、小于12.160μg/cm2的置换型无电解镀钯皮膜;上层,其为无电解镀金皮膜。
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公开(公告)号:CN1871372B
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN200480030918.5
申请日:2004-10-20
Applicant: 日矿金属株式会社
Inventor: 小田国博
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 一种钽溅射靶,其特征在于,在钽靶的表面,以整体结晶取向的总和为1时,具有(100)、(111)、(110)之任一取向的结晶其面积率不超过0.5。本发明的课题在于得到成膜速度快,膜的均匀性优良,另外,成膜特性良好,很少产生电弧和颗粒的钽溅射用靶。
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公开(公告)号:CN101213326B
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN200680023927.0
申请日:2006-06-14
Applicant: 日矿金属株式会社
CPC classification number: C22B25/04 , C22B13/06 , C22B25/08 , C22C13/00 , C22F1/16 , C25C1/14 , C25F1/04 , H01L23/4827 , H01L2224/13111 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 一种高纯度锡或锡合金,其中,U和Th各自的含量为5ppb以下,Pb和Bi各自的含量为1ppm以下,并且纯度为5N以上(条件是,O、C、N、H、S、P的气体成分除外)。一种高纯度锡或锡合金,其中,具有铸造组织的高纯度锡的α射线计数为0.001cph/cm2以下。目前的半导体装置由于高密度化及高容量化,因此受到来自半导体芯片附近材料的α射线的影响,导致软错误发生的危险增多。特别是对靠近半导体装置使用的焊料或者锡的高纯度化的要求强烈,另外,需要α射线少的材料,因此,本发明的目的是提供能够应对这些问题的使锡的α射线量减少的高纯度锡或锡合金以及高纯度锡的制造方法。
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公开(公告)号:CN101857950A
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN201010194930.7
申请日:2004-10-20
Applicant: 日矿金属株式会社
Inventor: 小田国博
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 一种钽溅射靶,其特征在于,在钽靶的表面,以整体结晶取向的总和为1时,具有(100)、(111)、(110)之任一取向的结晶其面积率不超过0.5。本发明的课题在于得到成膜速度快,膜的均匀性优良,另外,成膜特性良好,很少产生电弧和颗粒的钽溅射用靶。
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公开(公告)号:CN1926260B
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200580006773.X
申请日:2005-02-15
Applicant: 日矿金属株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/3407 , Y10T29/49989
Abstract: 本发明涉及溅射靶的表面加工方法,其特征为,对在富含延展性的基质相中,金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1~50%的靶表面,先通过切削进行粗加工,接着通过研磨进行精加工。本发明提供可以改善存在大量没有延展性物质的靶表面,防止或抑制溅射时结核或颗粒的产生的溅射靶的表面加工方法。
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